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InGaAsアバランシェフォトディテクタ

主な利点
1. 高ゲイン
2. 高感度
3. 低いノイズ同等電力
4. 強光注入保護機能
5. 光入射方式の選択肢あり

代表的なアプリケーション
リダール
レーザー測距
レーザー通信
OTDR

概要
パラメータ
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この製品はコンパクトな近赤外線用アバランチフォトディテクタです。コアデバイスには国内独自の知的財産権を持つInGaAs／InP APDを採用しており、高ゲイン、高感度、低ノイズの特長があります。近赤外線の弱い光検出や短パルス信号測定にコスト効果のあるソリューションを提供し、レーザ通信、レーザレーダーなどの分野で広く使用されています。
この製品は線形モードで動作し、低ノイズ広帯域トランシムピーダンス増幅器を内蔵しており、最大変換ゲイン5.2×10^6 V/Wを達成でき、ゲイン調整が可能で、温度補償回路を使用して乗算係数の温度安定制御を実現します。光感応面の直径は最大200μmまであり、作動帯域幅10MHzでのノイズ同等電力は0.35nWに達します。また、自由空間結合とファイバ結合に対応しています。さらに、内部に統合された強光注入保護機能により、製品の環境適応性が向上します。

パラメータ&インデックス
技術仕様	テクニカルインデックス
製品モデル	QCD-200A
応答波長	900nm-1700nm
光受入面直径	200um
最大変換ゲイン @(RL=50Ω)	5.2×10⁶ V/W
最大出力電圧 @(RL=50Ω)	2.1V
出力帯域	DC~10MHz
ノイズ同等パワー(DC-10MHz)	0.12pW/Hz½
総ノイズ電力	0.35nw
結合方法	フリースペース結合/光ファイバ結合
出力DCバイアス	<±25mV
入力電圧	12ボルト
サイズ	60mm×65.6mm×22mm
感光面サイズはカスタマイズ可能です
出力帯域幅はカスタマイズ可能です