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InGaAsアバランシェフォトダイオード日本

主な利点：

高い応答性

低静電容量、低ノイズ

高い動作周波数

高信頼性

代表的なアプリケーション：

高速光ファイバー通信

光ファイバーセンシング

高速光パルス検出

レーザー測距

単一光子検出

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概要
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関連製品

InGaAs ガイガーモードアバランシェフォトダイオード (APD) は、単一光子計数アプリケーション向けに特別に設計された製品です。このデバイスは、降伏電圧より高い電圧を印加することで「ガイガーモード」で動作し、アバランシェダイオード内の大きな利得により入射光子に大電流を生成させ、単一光子の検出を効果的に可能にします。適合する外部パルス検出回路と組み合わせると、0.95 ～ 1.65 マイクロメートルの波長範囲での単一光子の検出が可能になります。

この製品は、T0 同軸ピグテールと統合極低温バタフライの XNUMX つのパッケージ構造で利用でき、特定の顧客アプリケーション要件に合わせてカスタマイズすることもできます。

周期的な分極反転は、ニオブ酸リチウム結晶に外部電場を印加して結晶の強誘電体ドメインの自発分極方向を周期的に反転させる擬似位相整合技術によって実現されます。これにより位相不整合の問題が解決され、異なる波長の周波数変換が可能になります。

周期分極反転ニオブ酸リチウム (PPLN) RPE 導波路に基づいて、1550nm の通信波長範囲で伝送損失を 0.1dB/cm まで低減でき、光ファイバとの結合損失を 0.5dB まで最小限に抑えることができます。これらの技術仕様は国際トップレベルに達しています。

パラメータとインデックス
技術的なパラメータ	テクニカルインデックス
逆方向耐電圧	≤90V(@Tamb=25°C±3°C,IR=10uA, Φe=0)
暗電流	≤2nA(@Tamb=25°C±3°C,VDC=(VBR-1)V, Φe=0)
検出効率	20%(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,λ=1550nm±50nm)
ダークカウント率	≤5kHz(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,PDE=20%)
アフターパルス確率	≤6%(@Tth=-30°C±5°C,λ=1550nm±50nm,fgate=1.25GHz,PDE=20%,tdead=1000ns)
TEC冷却温度差	≤60°C (@ITEC=Imax、Tamb=+50°C、PED=20%)
使用温度	-40-45°C
保管温度	-50-70°C
クーラーの消費電力	≤9.52W
静電気放電に対する感度	250V
冷蔵庫の最大電圧値	11.9V
冷蔵庫の最大電流値	0.8A
NTC (温度感応抵抗器)	RT=10KΩ@25℃
サンプリング抵抗 TR 抵抗範囲	50Ω±10Ω