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InGaAs アバランシェフォトダイオード

主な利点:

高い応答性

低容量、低ノイズ

高動作周波数

高度な信頼性

典型的な用途:

高速光ファイバー通信

光ファイバーセンシング

高速光パルス検出

レーザー測距

単一光子検出

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概要
パラメータ
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InGaAs ゲイガー方式アバランシェフォトダイオード（APD）は、単一光子カウント用途のために特別に設計された製品です。このデバイスは「ゲイガー方式」で動作し、ブレークダウン電圧を超える電圧を適用することで、入射光子がアバランシェダイオード内の大きな利得により大きな電流を生成し、これにより単一光子の検出が効果的に可能になります。外部の適合したパルス検出回路と組み合わせることで、0.95〜1.65マイクロメートルの波長範囲での単一光子検出が可能になります。

この製品はT0同軸ピグテールおよび統合型低温バタフライの2つのパッケージ構造で提供され、特定の顧客アプリケーション要件に応じてカスタマイズすることも可能です。

周期的なポーリングは、準位相マッチング技術によって達成され、外部電場がリチウムニオブ酸結晶に適用されて、結晶のフェロ電気ドメインの自発極化方向が周期的に反転します。これにより位相ミスマッチ問題が解決され、異なる波長の周波数変換が可能になります。

周期的にポーリングされたリチウムニオブ酸（PPLN）RPE波導に基づき、通信波長範囲1550nmにおいて、伝送損失を0.1dB/cmまで低減でき、光ファイバーとの結合損失も0.5dBまで最小限に抑えることができます。これらの技術仕様は国際的に-leadingレベルに達しています。

パラメータ&インデックス
技術仕様	技術指標
逆方向ブレークダウン電圧	≤90V(@Tamb=25°C±3°C,IR=10uA, Φe=0)
ダークストリーム	≤2nA(@Tamb=25°C±3°C,VDC=(VBR-1)V, Φe=0)
検出効率	20%(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,λ=1550nm±50nm)
ダークカウントレート	≤5kHz(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,PDE=20%)
アフターパルス確率	≤6%(@Tth=-30°C±5°C,λ=1550nm±50nm,fgate=1.25GHz,PDE=20%,tdead=1000ns)
TEC冷却温度差	≤60°C(@ITEC=Imax,Tamb=+50°C,PED=20%)
動作温度	-40〜45°C
保管温度	-50〜70°C
クーラーの消費電力	≤9.52W
静電気放電感度	250V
冷蔵庫の最大電圧値	11.9V
冷蔵庫の最大電流値	0.8A
NTC（温度感応抵抗）	RT=10KΩ@25°C
サンプリング抵抗TRの抵抗範囲	50Ω±10Ω