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GD-NIR512L2-CD短波赤外線InGaAs線形配列センサーは、高感度、低ノイズ、低ダーク電流の特長を持っています。このセンサーはInGaAsフォトダイオード配列チップとCMOS信号処理回路チップで構成されており、インジウム(In)凸ドット配列によって導電接続され、農産物検出、工業検出、光電子検出などの分野で広く使用できます。
センサーは、それぞれ512のゴムチャネルを含む2つの独立した1X512構造の回路で構成されています。各チャネルには、電荷増幅回路、CDSゲイン回路、ホールド回路、列バッファ回路、および制御回路ロジックが含まれています。入力段階では複数レベルの電荷電圧変換ゲインを持つCTIA構造を採用し、抗コロナおよび相関二重採択(CDS)ノイズ低減機能をサポートし、冷却と非冷却の2つの形式に対応しています。
| パラメータ&インデックス | |
| テクニカル パラメーター | テクニカル インデックス |
| 装置タイプ | InGaAs p-on-n Type |
| 配列の規模 | 2X512 |
| ピクセルサイズ | 25umX25um |
| 光受取面のサイズ | 0.05mmX12.8mm |
| 包装形式 | 32-DIP セラミック シェル レジン パッケージ |
| 光電特性 @ 22±3°C | |
| 最大回線周波数 | 20kHz |
| 最大ピクセル読み出し速度 | 14KHz |
| 積分時間 | ≥10us 10us以上 |
| 分光応答範囲 | 0.92~1.65um |
| 読み出しノイズ | ≤60e(RMS)@10KHz, 高ゲイン |
| 動的環境 | ≥60dB |
| 電気的特性 | |
| 動作温度範囲 | -20° C~+60° C |
| 最大動作消費電力 | 300mW |
| ピクセルバイアス範囲 | -0.5V~0V |
| 静電気放電耐性レベル | 800V~1000V |
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