- 概要
- お問い合わせ
- 関連製品
GD-NIR512L2-CD 短波赤外線 InGaAs リニア アレイ センサーは、高感度、低ノイズ、低暗電流の特性を備えています。 センサーはInGaAsフォトダイオードアレイチップとCMOS信号処理回路チップで構成されています。 インジウム(In)凸型ドットアレイを介して導電接続されており、農産物検出、工業用検出、光電子検出などの分野で広く使用できます。
センサーは 1 つの独立した 512X512 構造回路で構成され、それぞれに XNUMX 個のゴム チャネルが含まれています。 各チャネルには、電荷増幅回路、CDS ゲイン回路、ホールド回路、列バッファ回路、および制御回路ロジックが含まれています。 入力段は多段階の充電電圧変換ゲインを備えたCTIA構造を採用し、アンチコロナ・CDSノイズリダクション機能に対応し、冷却・非冷却のXNUMX形態に対応しています。
パラメータとインデックス | |
技術的 Parameters | 技術的 目次 |
デバイスの種類 | InGaAs p-on-n タイプ |
配列のスケール | 2X512 |
画素サイズ | 25μm×25μm |
感光面サイズ | 0.05mmX12.8mm |
包装フォーム | 32-DIP セラミックシェル樹脂パッケージング |
光電子特性 @ 22±3°C | |
最大回線周波数 | 20KHz |
最大ピクセル読み出しレート | 14KHz |
積分時間 | ≥10us 10us 以上 |
スペクトル応答範囲 | 0.92〜1.65um |
読み出しノイズ | ≤60e(RMS)@10KHz、高ゲイン |
ダイナミックな雰囲気 | ≥60dB |
電気的特性 | |
動作温度範囲 | -20°C〜+ 60°C |
最大動作電力消費量 | 300mW |
ピクセルバイアス範囲 | -0.5V〜0V |
ESD帯電防止レベル | 800V〜1000V |