今日の技術時代において、正確な精密機器用の信頼できるセンサーを見つけることは重要です。幸いなことに、Anhui Giant OptoelectronicsのようなInGaAs アバランシェフォトダイオード（APD）があります。 シリコンアバランシェフォトダイオード 多くのニーズに対応できるアプリケーションに解決策を提供します。この記事では、InGaAs APDの利点、その動作原理、使用方法、アプリケーション、および品質保証について簡単に説明します。
安徽ジャイアントオプトエレクトロニクス社のInGaAs APDは、赤外線領域での性能がフォトマルチプライヤー管（PMT）よりも優れており、さらに高感度を実現する内部プロセスによるゲインにより、低光量の検出が可能です。さらに、これらのAPDはマイクロ秒以内に光子に反応するため高速であり、ターゲット取得や他の迅速なアプリケーションに最適です。
「アバランシェ効果」こそが、安徽ジャイアントオプトエレクトロニクス社のInGaAs APDを可能にする主な技術です。 単一光子アバランシェフォトダイオード この効果が非常に効果的です。基本的に、センサーによって生成されるフォトカレントを増幅させる連鎖反応を引き起こします。半導体層内のこのカスケード効果により、単一の光子イベントから複数の電荷が生成され、検出された信号強度が電気的に増幅されます。
APDはPMTよりもずっと安全で信頼性が高く、これは例えば紫外線のような高エネルギー放射線と作業する際には必須です。安徽ジャイアントオプトエレクトロニクスのAPDのように inGaAs アバランシェフォトダイオード は紫外線に敏感ではありません。そのため、光検出応用において光子パワーを効率的に識別することができます。APDは逆バイアス応用において低電圧で動作するため、放射線による危険は最小限に抑えられます。低電圧応用は電気ショックのリスクを大幅に減少させます。
安徽ジャイアントオプトエレクトロニクスのInGaAs APDは直射日光では使用しないでください。太陽熱によって損傷を受ける可能性があります。このデバイスには冷却装置が組み込まれており、温度管理された環境で使用される必要があります。これにより内部サーマルセンサーの完全性が保たれます。さらに、光に敏感な表面には触れないようにしてください。必要であれば、InGaAs APDを取り扱う際には手袋を使用してください。
当社は印象的な研究開発能力を持ち、業界で最高のパフォーマンスと機能を備えた製品を作り出すことができます。
私たちはInGaAs雪崩フォトダイオード光電子分野に専念している企業です。最先端の研究開発から精密製造まで、私たちの専門知識が仕事のすべての側面に現れています。
私たちは、InGaAs雪崩フォトダイオードに関する各クライアントのニーズに合わせてソリューションをカスタマイズする専門家です。
私たちはさまざまなサービスを提供しており、InGaAs雪崩フォトダイオードの機能カスタマイズやサンプルテスト、量産製造などを行っています。
私たちの会社のミッションは、フォトニクスの力を活用して革新を推進し、より明るく持続可能な未来を作ることです。私たちのビジョンは、最先端の光学技術を発展させ、業界全体に進歩をもたらし、無限の可能性に照らされた世界を形作ることです。
EN
AR
BG
HR
CS
DA
NL
FI
FR
DE
EL
HI
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
LV
LT
SR
SK
SL
UK
VI
TH
TR
FA
MS
BE
LA
UZ
