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Componente de detector de fotones únicos de matriz InGaAs

Ventaja Principal
El rango de respuesta espectral es de 0,95~1,65 μm.
Está encapsulado en una carcasa metálica ligera y compacta.
Los píxeles funcionan de manera independiente y libre.
Los píxeles pueden detectar señales débiles de fotones.
El tiempo muerto y el umbral de detección de señal de avalancha Geiger son ajustables.

Aplicaciones típicas:
Medición de distancia a través de niebla, bruma y humo
Advertencia láser de infrarrojo cercano
Telemetría láser a larga distancia
Comunicación láser espacial a larga distancia

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Descripción general
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El producto consta de un módulo de detector, que se ensambla mediante la interconexión de tipo flip-chip de una matriz de 4x4 de chips de diodo avalancha de un solo fotón de InGaAs (SPAD) y un chip de circuito pasivo principal CMOS con un circuito de apagado activo, junto con un módulo inversor de voltaje, un módulo de enfriamiento y un módulo de control de señales. En el modo de operación Geiger, cada píxel del componente detector funciona de manera independiente y libre, detectando señales débiles de luz en el rango de longitudes de onda del infrarrojo cercano de 0,95 a 1,65 micrómetros y proporcionando una salida en tiempo real en señales eléctricas TTL.

Parámetros&Índice
Parámetros técnicos	Índice técnico
Tipo de dispositivo	APD de InGaAs
Tamaño de la matriz	4x4
Tamaño de píxel	100μm x 100μm
Tamaño del área fotosensible	85μm x 85μm
Ventana óptica	Ventana óptica de cuarzo
Distancia desde la superficie fotosensible hasta la ventana óptica	4mm (espesor de la ventana: 1mm)
Longitud de onda de operación	0,95μm a 1,65μm
Eficiencia de detección	≥10% (a 1.57±0.05μm)
Tasa de conteo oscuro	≤10KHz
Jitter de Tiempo	≤500ps
Tiempo Muerto	Ajustable de 100 a 1000ns
Tasa de Píxeles Efectivos	100%
Temperatura de funcionamiento	-40°C a +55°C
Temperatura de almacenamiento	-40°C a +70°C
Consumo de energía	≤15W