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Componente detector de matriz de fotón único InGaAs

Ventaja clave
El rango de respuesta espectral es de 0.95 a 1.65 μm.
Está encerrado en una carcasa metálica ligera y compacta.
Los píxeles funcionan de forma independiente y libre.
Los píxeles pueden detectar señales de fotones débiles.
El tiempo muerto y el umbral de detección de señal de avalancha Geiger son ajustables.

Aplicaciones típicas:
Medición de distancias a través de niebla, neblina y humo.
Advertencia de láser de infrarrojo cercano
Alcance láser de largo alcance
Comunicación láser espacial de larga distancia.

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Descripción general
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El producto consta de un módulo detector, que se ensambla mediante un chip invertido que interconecta una matriz 4x4 de chips de diodo de avalancha de fotón único (SPAD) de InGaAs y un chip de circuito de extinción pasivo principal CMOS, junto con un módulo inversor de voltaje, un módulo de enfriamiento, y un módulo de control de señal. En el modo Geiger, cada píxel del componente detector funciona de forma independiente y libre, detectando señales de luz débiles en el rango de longitud de onda del infrarrojo cercano de 0.95 a 1.65 micrómetros y proporcionando salida en tiempo real en señales eléctricas TTL.

Parámetros e índice
Parámetros técnicos	Índice técnico
Tipo de dispositivo	DPA de InGaAs
Tamaño de matriz	4x4
Pixel Tamaño	100 μm x 100 μm
Tamaño del área fotosensible	85 μm x 85 μm
Ventana óptica	Ventana óptica de cuarzo.
Distancia desde la superficie fotosensible a la ventana óptica	4 mm (grosor de la ventana: 1 mm)
Longitud de onda de funcionamiento	0.95μm hasta 1.65μm
Eficiencia de detección	≥10% (a 1.57±0.05μm)
Tasa de recuento oscuro	≤10 KHz
Jitter del tiempo	≤500 ps
Tiempo muerto	Ajustable de 100 a 1000ns
Tasa de píxeles efectiva	100%
Temperatura de Funcionamiento	-40 ° C a + 55 ° C
Temperatura de almacenamiento	-40 ° C a + 70 ° C
Consumo de energía	≤15W