
Sensor de matriz focal InGaAs
Ventaja Principal
1. Banda de respuesta espectral 0,9-1,7um/0,4-1,7um
2. La temperatura de trabajo del chip puede ser monitoreada en tiempo real
3. El tiempo de integración es ajustable, y el tamaño de ganancia es opcional
4. Puertos de salida 1, 2, 4 son opcionales
5. Tasa de lectura de píxeles 10MHz, tasa máxima de cuadros 300fps
6. Múltiples modos de integración/lectura, soporte para imagen en ventana
Aplicación típica
Detección de imágenes a través de niebla, bruma, polvo, etc.
Detección de imagen en baja luz
Monitoreo de imagen pasiva y activa furtiva, reconocimiento de camuflaje
Marcado y seguimiento láser, detección de puntos láser
Pruebas de materiales semiconductores basados en Si y chips
Detección de imágenes para el control de procesos industriales, clasificación de productos agrícolas y secundarios
- Resumen
- Parámetro
- Consulta
- Productos relacionados
Este producto se ensambla mediante la interconexión de un chip de circuito de lectura CMOS con un chip de matriz de fotodetectores InGaAs mediante tecnología de montaje por inversión. El tamaño de la matriz es de 320x265 píxeles, con longitudes de onda de respuesta de 0,9-1,7 μm (longitud de onda estándar) y 0,4-1,7 μm (longitud de onda visible) como opciones disponibles. Ofrece ventajas de rendimiento como bajo ruido, alta sensibilidad, excelente uniformidad y un amplio rango dinámico. Exhibe buena fiabilidad tanto en condiciones de operación enfriada como no enfriada. El producto está disponible en dos tipos: integrado con una carcasa metálica DIP de tipo TEC para sellado hermético y un empaquetado CLCC ligero y compacto.
Parámetros Técnicos Básicos y Características | ||
Modelo de producto | GD-NIR32030M-MD | GD-NIR32030M-CL |
Tipo de dispositivo | InGaAs p-on-n | |
Escala de píxeles | 320*256 | |
Tamaño de píxel | 30um*30um | |
Tamaño del área fotosensible | 9.6mm*7.68mm | |
Peso del dispositivo | 3.0g | 3,5 g. |
Ventana óptica | Zafiro | Ventana óptica de vidrio |
Forma de encapsulado | Envasado metálico DIP con TEC integrado | Envolvente cerámica CLCC |
Distancia entre el plano focal y la superficie de la ventana óptica | 2,6mm (El grosor de la ventana óptica es aproximadamente 1,0mm.) | 1,9mm (El grosor de la ventana óptica es aproximadamente 0,8mm.) |
Índice Fotoeléctrico Principal | ||
Parámetros | GD-NIR32030M-MD | GD-NIR32030M-CL |
Rango de respuesta espectral | 0,9-1,7um/0,4-1,7um | 0,9-1,7um |
Eficiencia Cuántica | ≥75%(1,0~1,6um) | |
Factor de Relleno Óptico | ≥ 99,0% | |
Tasa de Píxeles Efectivos | ≥99,5%(0,5-2 veces la respuesta promedio) | |
Nivel de Ruido de Salida | ≤1.5mV/1.0mV | |
Rango dinámico | ≥62dB | |
No Uniformidad de Respuesta | ≤6%(sin NUC, 50% Pico de Carga) | |
Corriente Oscura Promedio por Pixel | ≤800ke/s(@-0.2V, Polarización del Detector) | |
Tasa Máxima de Fotogramas de Salida a Escala Completa | 100fps/200fps/300fps | |
Tasa Máxima de Fotogramas de Salida con Ventaneo | 15.6KHz | |
Tasa Máxima de Lectura de Píxeles | 10MHz | |
Capacidad de Pozo Completo | 170Ke/3.5Me | |
Tiempo Mínimo de Integración | 1us |