Sensor de matriz focal de línea de InGaAs

El sensor de matriz lineal de infrarrojo cercano GD-NIR512L2-CD tiene las características de alta sensibilidad, bajo ruido y corriente oscura baja. El sensor está compuesto por chips de matrices de fotodiodos InGaAs y chips de circuitos de procesamiento de señales CMOS. Está conectado conductivamente a través de matrices de puntos convexos de indio (In) y puede ser ampliamente utilizado en campos como la detección de productos agrícolas, detección industrial y detección optoeléctrica.
El sensor está compuesto por dos circuitos estructurados independientes de 1X512, cada uno conteniendo 512 canales de goma. Cada canal contiene un circuito de amplificación de carga, un circuito de ganancia CDS, un circuito de retención, un circuito de búfer de columna y una lógica de circuito de control. La etapa de entrada adopta una estructura CTIA con múltiples niveles de conversión de carga a voltaje, admite funciones de reducción de ruido anti-corona y adopción dual correlacionada (CDS), y admite dos formas: enfriamiento y sin enfriamiento.