Аваланшний фотодетектор InGaAs

Цей продукт є компактним фотодетектором лавинного типу в ближньому інфрачервоному діапазоні. Ядро пристрою використовує APD InGaAs/InP з власними національними правами інтелектуальних власників, який має характеристики високої прибутковості, високої чутливості та низького шуму. Він може надати ефективну за вартістю рішення для виявлення слабкого світла в ближньому інфрачервоному діапазоні та вимірювання коротких імпульсних сигналів, а також широко використовується в лазерній комунікації, лазерному радарі та інших галузях.
Цей продукт працює у лінійному режимі, інтегрує низькозашумний широкопасмовий трансимпедансний попереджувач, може досягти максимального коефіцієнта перетворення 5.2×106в/вт, підтримує налаштування збільшення, а також використовує температурну компенсаційну схему для досягнення температурної стабільності коефіцієнта множення. Діаметр світлочутливого поверхоння досягає 200 мкм, а еквівалентна шумова потужність становить лише 0.35 нВ при робочій частоті 10 МГц. Підтримується вільнoprосторове купування та волоконне купування. При цьому внутрішня інтегрована функція захисту від сильного світлового впливу забезпечує більшу адаптивність середовища продукту.