Всі

Аваланшна фотодіодна матриця InGaAs

Головна перевага:

Висока швидкодія

Низька ємність, низький шум

Висока частота роботи

Висока надійність

Типові застосування:

Швидка оптична зв'язкова комунікація

Сенсорика з використанням оптичних волокон

Швидке виявлення оптичних імпульсів

Лазерна діапазонометрія

Детекція одиночних фотонів

Запит Завантажити

Огляд
Параметр
Запит
Супутні товари

Фотодіод лавинного типу у режимі Гейгера на основі InGaAs - це продукт, що спеціально розроблений для застосувань під час лічби одиночних фотонів. Цей пристрій працює у "режимі Гейгера" шляхом застосування напруги вище ніж напруга пробиву, що призводить до того, що надходящі фотони генерують великий струм через значну користь всередині лавинного діода, ефективно забезпечуючи виявлення одиночних фотонів. У поєднанні з зовнішніми колами виявлення імпульсів, він дозволяє виявляти одиночні фотони у діапазоні хвильових довжин 0.95-1.65 мікрометр.

Продукт доступний у двох конструкціях обкладача: T0 коаксіальний пігтейл та інтегрований криогенній баттерфлай, а також може бути адаптований під специфічні вимоги клієнтів.

Періодичне полявання досягається за допомогою технік квазіфазового збігу, коли до кристалу літієвого ниобату застосовується зовнішнє електричне поле для періодичного змінення напрямку спонтанної поляризації фероелектричних доменів кристалу. Це вирішує проблему фазового невідповідності, дозволяючи конвертувати частоту для різних хвильових довжин.

На основі хвильоводів РЕ з періодично полярованим літієвим ниобатом (PPLN), у діапазоні комунікаційної хвильової довжини 1550 нм, втрати передачі можуть бути зменшені до мінімуму 0.1 дБ/см, а втрати з'єднання з оптичними волокнами можуть бути зменшені до 0.5 дБ. Ці технічні характеристики досягли міжнародної лідерської позиції.

Параметри та індекс
Технічні параметри	Технічні параметри
Обернене напруга зламу	≤90В(@Tamb=25°C±3°C,IR=10мкА, Φe=0)
Темна течія	≤2нА(@Tamb=25°C±3°C,VDC=(VBR-1)В, Φe=0)
Ефективність виявлення	20%(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25ГГц,λ=1550нм±50нм)
Швидкість підрахунку темних сигналів	≤5кГц(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25ГГц,PDE=20%)
Ймовірність післяімпульсу	≤6%(@Tth=-30°C±5°C,λ=1550nm±50nm,fgate=1.25GHz,PDE=20%,tdead=1000ns)
Різниця температури охолодження TEC	≤60°C(@ITEC=Imax,Tamb=+50°C,PED=20%)
Робоча температура	-40-45°C
Температура зберігання	-50-70°C
Витрати електроенергії охолоджувача	≤9.52W
Чутливість до електростатичного розряду	250V
Максимальне значення напруги холодильника	11.9В
Максимальне значення струму холодильника	0.8A
NTC (температурно чутливий резистор)	RT=10КΩ@25°C
Діапазон опору вимірювального резистора TR	50Ω±10Ω