Датчик плоскости наведения на основе InGaAs
Ключевое преимущество
1. Спектральная banda отклика 0.9-1.7мкм/0.4-1.7мкм
2. Температура работы чипа может быть отслежена в реальном времени
3. Время интеграции регулируется, размер усиления выбирается по желанию
4. Выходные порты 1, 2, 4 выбираются по желанию
5. Скорость считывания пикселей 10МГц, максимальная частота кадров 300кадр/с
6. Несколько режимов интеграции/считывания, поддержка оконного изображения
Типичное применение
Обнаружение изображений сквозь туман, смог, пыль и т.д.
Съемка при низком освещении в условиях недостаточной видимости
Скрытый пассивный и активный мониторинг с обнаружением маскировки
Маркировка и отслеживание лазером, детекция лазерных точек
Материалы на основе кремния и тестирование чипов
Изображение для контроля промышленных процессов, сортировка сельскохозяйственной продукции и продуктов питания
- Обзор
- Параметры
- Запрос
- Сопутствующие товары
Этот продукт собирается путем соединения микросхемы чтения CMOS с чипом фотодетекторного массива InGaAs методом перевернутого чипа. Размер массива составляет 320x265 пикселей, с длинами волн отклика 0,9-1,7 мкм (стандартная длина волны) и 0,4-1,7 мкм (видимая длина волны) в качестве вариантов выбора. Он предлагает такие преимущества производительности, как низкий уровень шума, высокая чувствительность, отличная равномерность и широкий динамический диапазон. Он демонстрирует хорошую надежность как при охлаждении, так и без охлаждения. Продукт доступен в двух типах: с герметичной интеграцией в металлический корпус DIP с ТЕК для герметизации и легкой компактной упаковкой CLCC.
| Основные технические параметры и характеристики | ||
| Модель продукта | GD-NIR32030M-MD | GD-NIR32030M-CL |
| Тип устройства | InGaAs p-on-n | |
| Масштаб пикселей | 320*256 | |
| Размер пикселя | 30мкм*30мкм | |
| Размер светочувствительной области | 9.6мм*7.68мм | |
| Вес устройства | 3.0г | 3,5 грамма |
| Оптическое окно | Сапфировое | Стеклянное оптическое окно |
| Форма kapsulirovaniya | Интегрированная упаковка TEC\/DIP металлического корпуса | Упаковка керамического корпуса CLCC |
| Расстояние от фокальной плоскости до поверхности оптического окна | 2.6мм (Толщина оптического окна составляет примерно 1.0мм.) | 1.9мм (Толщина оптического окна составляет примерно 0.8мм.) |
| Основной фотоэлектрический индекс | ||
| Параметры | GD-NIR32030M-MD | GD-NIR32030M-CL |
| Спектральная характеристика | 0.9-1.7мкм/0.4-1.7мкм | 0.9-1.7мкм |
| Квантовый КПД | ≥75%(1.0~1.6мкм) | |
| Оптический заполняющий фактор | ≥99.0% | |
| Эффективная частота пикселей | ≥99.5%(0.5-2 раза средней реакции) | |
| Уровень выходного шума | ≤1.5мВ/1.0мВ | |
| Динамический диапазон | ≥62дБ | |
| Неоднородность реакции | ≤6%(без NUC, 50% Полная Емкость) | |
| Средний Темновой Ток Пикселей | ≤800ке/с(@-0.2В, Смещение Детектора) | |
| Максимальная Частота Кадров при Полной Матрице | 100кадр/сек/200кадр/сек/300кадр/сек | |
| Максимальная Частота Кадров при Выделении Области | 15.6КГц | |
| Максимальная Скорость Чтения Пикселей | 10МГц | |
| Полная Емкость Пикселя | 170Ke\/3.5Me | |
| Минимальное время интеграции | 1с | |
EN
AR
BG
HR
CS
DA
NL
FI
FR
DE
EL
HI
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
LV
LT
SR
SK
SL
UK
VI
TH
TR
FA
MS
BE
LA
UZ
