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Componente detector de matriz de fóton único InGaAs

Vantagem Chave
A faixa de resposta espectral é de 0.95 ~ 1.65 μm.
Ele é fechado em uma caixa de metal leve e compacta.
Os pixels operam de forma independente e livre.
Os pixels podem detectar sinais fracos de fótons.
O tempo morto e o limite de detecção do sinal de avalanche Geiger são ajustáveis.

Aplicações típicas:
Medição de distância através de neblina, neblina e fumaça
Aviso de laser infravermelho próximo
Laser de longo alcance
Comunicação a laser espacial de longa distância

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Visão geral
Parâmetro
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O produto consiste em um módulo detector, que é montado por flip-chip interconectando uma matriz 4x4 de chips InGaAs de diodo de avalanche de fóton único (SPAD) e um chip de circuito de extinção passiva principal CMOS, juntamente com um módulo inversor de tensão, um módulo de resfriamento, e um módulo de controle de sinal. Na operação no modo Geiger, cada pixel do componente detector opera de forma independente e livre, detectando sinais de luz fracos na faixa de comprimento de onda do infravermelho próximo de 0.95 a 1.65 micrômetros e fornecendo saída em tempo real em sinais elétricos TTL.

Parâmetros e índice
Parâmetros técnicos	Índice Técnico
Tipo de Dispositivo	InGaAs APD
Tamanho da matriz	4x4
Tamanho do Pixel	100μm x 100μm
Tamanho da área fotossensível	85μm x 85μm
Janela ótica	Janela óptica de quartzo
Distância da superfície fotossensível à janela óptica	4mm (espessura da janela: 1mm)
Comprimento de onda operacional	0.95μm a 1.65μm
Eficiência de detecção	≥10% (a 1.57±0.05μm)
Taxa de contagem escura	≤10KHz
Tremulação de tempo	≤500ps
Tempo morto	Ajustável de 100 a 1000ns
Taxa efetiva de pixels	100%
Temperatura de Operação	-40 ° C a + 55 ° C
Temperatura de armazenamento	-40 ° C a + 70 ° C
Consumo de energia	≤15W