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Dispositivos Optoeletrônicos Integrados

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Fotodiodo de avalanche InGaAs

Fotodiodo de avalanche InGaAs

Vantagem principal:

Alta capacidade de resposta

Baixa capacitância, baixo ruído

Alta frequência operacional

Alta Confiabilidade

Aplicações típicas:

Comunicação de fibra óptica de alta velocidade

Sensor de fibra óptica

Detecção rápida de pulso óptico

Variação do laser

Detecção de fóton único

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O fotodiodo de avalanche (APD) no modo Geiger InGaAs é um produto projetado especificamente para aplicações de contagem de fótons únicos. Este dispositivo opera no "modo Geiger" aplicando uma tensão superior à tensão de ruptura, fazendo com que os fótons incidentes gerem uma grande corrente devido ao ganho substancial dentro do diodo de avalanche, permitindo efetivamente a detecção de fótons únicos. Quando combinado com circuitos externos de detecção de pulso correspondentes, permite a detecção de fóton único na faixa de comprimento de onda de 0.95-1.65 micrômetros.

O produto está disponível em duas estruturas de embalagem: pigtail coaxial T0 e borboleta criogênica integrada, e também pode ser personalizado para requisitos específicos de aplicação do cliente.

A polarização periódica é obtida através de técnicas de correspondência de quase fase, onde um campo elétrico externo é aplicado ao cristal de niobato de lítio para reverter periodicamente a direção de polarização espontânea dos domínios ferroelétricos do cristal. Isto resolve o problema de incompatibilidade de fase, permitindo a conversão de frequência para diferentes comprimentos de onda.

Com base em guias de onda RPE de niobato de lítio periodicamente polarizados (PPLN), na faixa de comprimento de onda de comunicação de 1550nm, as perdas de transmissão podem ser reduzidas para até 0.1dB/cm, e as perdas de acoplamento com fibras ópticas podem ser minimizadas para 0.5dB. Estas especificações técnicas atingiram um nível de liderança internacional.

Parâmetros e índice
Parâmetros técnicos Índice Técnico
Tensão de ruptura reversa ≤90V(@Tamb=25°C±3°C,IR=10uA, Φe=0)
Corrente escura ≤2nA(@Tamb=25°C±3°C,VDC=(VBR-1)V, Φe=0)
Eficiência de detecção 20%(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,λ=1550nm±50nm)
Taxa de contagem escura ≤5kHz(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,PDE=20%)
Probabilidade pós-pulso ≤6%(@Tth=-30°C±5°C,λ=1550nm±50nm,fgate=1.25GHz,PDE=20%,tdead=1000ns)
Diferença de temperatura de resfriamento TEC ≤60°C(@ITEC=Imax,Tamb=+50°C,PED=20%)
Temperatura de Operação -40-45 ° C
Temperatura de armazenamento -50-70 ° C
Consumo de energia mais frio ≤9.52W
Sensibilidade de descarga eletrostática 250V
Valor máximo de tensão do refrigerador 11.9V
Valor atual máximo do refrigerador 0.8
NTC (resistor sensível à temperatura) TR=10KΩ@25°C
Faixa de resistência TR do resistor de amostragem 50Ω ± 10Ω

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