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Dispositivos Integrados Optoeletrônicos

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Fotodiodo avalancha InGaAs

Fotodiodo avalancha InGaAs

Vantagem Principal:

Alta Responsividade

Baixa Capacitância, Baixo Ruído

Alta Frequência de Operação

Alta fiabilidade

Aplicações típicas:

Comunicação óptica de alta velocidade por fibra óptica

Sensores ópticos de fibra

Detecção de pulso óptico rápido

Medição a Laser

Detecção de fóton único

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O fotodiodo avalancha (APD) no modo Geiger de InGaAs é um produto especificamente projetado para aplicações de contagem de fótons únicos. Este dispositivo opera no "modo Geiger" aplicando uma tensão maior que a tensão de ruptura, causando que os fótons incidentes gerem uma grande corrente devido ao ganho substancial dentro do diodo avalancha, permitindo efetivamente a detecção de fótons únicos. Quando combinado com circuitos externos de detecção de pulsos compatíveis, ele permite a detecção de fótons únicos na faixa de comprimento de onda de 0,95-1,65 micrômetros.

O produto está disponível em duas estruturas de embalagem: T0 coaxial com pigtail e borboleta criogênica integrada, e também pode ser personalizado para atender aos requisitos de aplicação específicos do cliente.

A polagem periódica é alcançada através de técnicas de casamento de fase quase-perfeito, onde um campo elétrico externo é aplicado ao cristal de nióbio de lítio para reverter periodicamente a direção da polarização espontânea dos domínios ferroelétricos do cristal. Isso resolve o problema de desajuste de fase, permitindo a conversão de frequência para diferentes comprimentos de onda.

Com base em waveguides RPE de nióbio de lítio polado periodicamente (PPLN), na faixa de comprimento de onda de comunicação de 1550nm, as perdas de transmissão podem ser reduzidas para tão baixo quanto 0,1dB/cm, e as perdas de acoplamento com fibras ópticas podem ser minimizadas para 0,5dB. Essas especificações técnicas atingiram um nível internacional de liderança.

Parâmetros&Índice
Parâmetros técnicos Índice técnico
Tensão de ruptura inversa ≤90V(@Tamb=25°C±3°C,IR=10uA, Φe=0)
Corrente escura ≤2nA(@Tamb=25°C±3°C,VDC=(VBR-1)V, Φe=0)
Eficiência de detecção 20%(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,λ=1550nm±50nm)
Taxa de Contagem Escura ≤5kHz(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,PDE=20%)
Probabilidade de Afterpulse ≤6%(@Tth=-30°C±5°C,λ=1550nm±50nm,fgate=1.25GHz,PDE=20%,tdead=1000ns)
Diferença de Temperatura de Resfriamento do TEC ≤60°C(@ITEC=Imax,Tamb=+50°C,PED=20%)
Temperatura de operação -40-45°C
Temperatura de armazenamento -50-70°C
Consumo de Energia do Resfriador ≤9.52W
Sensibilidade à Descarga Eletrostática 250 V
Valor Máximo de Tensão da Geladeira 11.9V
Valor Máximo de Corrente da Geladeira 0.8A
NTC (Resistor Sensível à Temperatura) RT=10KΩ@25°C
Faixa de Resistência do Resistor de Amostragem TR 50Ω±10Ω

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