Sensor de matriz focal de linha de InGaAs

O sensor de matriz linear de infravermelho curto GD-NIR512L2-CD InGaAs possui as características de alta sensibilidade, baixo ruído e baixa corrente escura. O sensor é composto por chips de matriz de fotodiodos InGaAs e chips de circuito de processamento de sinais CMOS. Ele está conectado condutor através de matrizes de pontos convexos de índio (In) e pode ser amplamente utilizado em campos como detecção de produtos agrícolas, detecção industrial e detecção fotoeletrônica.
O sensor é composto por dois circuitos estruturados independentes 1X512, cada um contendo 512 canais de borracha. Cada canal contém um circuito de amplificação de carga, um circuito de ganho CDS, um circuito de retenção, um circuito de buffer de coluna e uma lógica de circuito de controle. A etapa de entrada adota uma estrutura CTIA com múltiplos níveis de conversão de carga de tensão, suporta funções de redução de ruído anti-corona e dupla adoção correlacionada (CDS) e suporta duas formas: resfriamento e sem resfriamento.