Sensor de plano focal de matriz linear InGaAs

O sensor de matriz linear InGaAs infravermelho de ondas curtas GD-NIR512L2-CD tem as características de alta sensibilidade, baixo ruído e baixa corrente escura. O sensor é composto por chips de matriz de fotodiodos InGaAs e chips de circuito de processamento de sinal CMOS. É condutivo conectado por meio de matrizes de pontos convexos de índio (In) e pode ser amplamente utilizado em áreas como detecção de produtos agrícolas, detecção industrial e detecção optoeletrônica.
O sensor é composto por dois circuitos estruturados independentes 1X512, cada um contendo 512 canais de borracha. Cada canal contém um circuito de amplificação de carga, um circuito de ganho CDS, um circuito de retenção, um circuito de buffer de coluna e um circuito lógico de controle. O estágio de entrada adota uma estrutura CTIA com vários níveis de ganho de conversão de tensão de carga, suporta funções de redução de ruído anti corona e de dupla adoção correlacionada (CDS) e suporta duas formas de resfriamento e não resfriamento.