I dagens teknologitid, å finne en pålitelig og sensor som nøyaktig presisjonsinstrumenter er avgjørende. Heldigvis tilbyr InGaAs lawine fotodiod (APD) som Anhui Giant Optoelectronics silisium avalanche fotodiod et løsnings til applikasjoner som kan oppfylle mange behov. Denne artikkelen skal enkelt ta deg gjennom fordeler med InGaAs APD, hvordan den fungerer, hvordan du kan bruke den, anvendelse, og kvalitetssikring.
InGaAs APDs fra Anhui Giant Optoelectronics er mye bedre enn fotomultiplikatorerør (PMTs), ettersom de presterer mer effektivt i infrarød spektralberegn. Dessuten har deres innside forstyrkning prosedyre høy følelighet, som gjør det mulig å oppdage lave lysnivåer. Desuden er disse APD-komponentene raskt, og reagerer på fotoner innen mikrosekunder. Dette trekket betyr at de er perfekte for målakting og andre hurtige applikasjoner.
Den "avalanche-effekten" er den teknologi som først og fremst gjør InGaAs APDs like med Anhui Giant Optoelectronics enkel photon lavine fotodiod så effektivt. I prinsippet stimulerer den en kjedereaksjon, som multipliserer fotostrommen generert av sensoren. Denne kaskadeformen inne i semilederlaget forsterker signalet ved å opprette flere ladninger fra én enkelt foton. Dette prosesset skaper en elektrisk forstyrket signalstyrke.
APDs er mye tryggere og påliteligere enn PMTs. Dette er et krav når man jobber med høy effekt stråling, som for eksempel ultraviolett lys. APDs fra Anhui Giant Optoelectronics inGaAs avalanche fotodiod er ikke følsomme for ultraviolett lys; derfor kan de effektivt identifisere fotonnens styrke i foto-deteksjonsapplikasjoner. Strålingsfare holdes til et minimum siden APDs kan kjøre på lav spenning i omvendt polariserte applikasjoner. Lavspenninger reduserer risikoen av elektrisk støt betydelig.
En InGaAs APD fra Anhui Giant Optoelectronics bør ikke brukes i direkte sollys, da solvarmen skader den. Enheten må være utstyrt med en kjølingselement som holder den i en temperaturkontrollert miljø, opprettholder integriteten til dens interne termisk sensor. I tillegg bør man unngå å røre overflaten som er photosensitiv. Hvis nødvendig, bør handsker brukes ved håndtering av InGaAs APDs.
Vår bedrift har en imponerende kapasitet for forskning og utvikling som lar oss lage produkter som er de beste i bransjen når det gjelder ytelse og funksjon.
Vi er en dedikert bedrift innen ingaas avalanche fotodiod optoelektronikk. Vår ekspertise skiner gjennom hver aspekt av arbeidet vårt, fra fremmede forskning og utvikling til nøyaktig produksjon.
Vi er ekspert i å tilpasse løsninger for å møte behovene til hver eneste kunde med ingaas avalanche fotodiod.
Vi tilbyr en rekke tjenester, inkludert funksjonsjustering av ingaas avalanche fotodiod, tilpassing, produksjon, manufacturering og prøvetesting.
Målet for vår bedrift er å utnytte kraften i fotonikk for å drive innovasjon og skape et lysere, mer bærekraftig fremtid. Vår visjon er å være leder i å utvikle framtidige optiske teknologier, gi støtte til fremskritt over flere industrier, og forme en verden opplyst av uendelige muligheter.
13. etasje, D1#, Fase I, Gongtou Liheng Industrial Plaza, Fanhua Avenue, Feixi County Economic Development Zone, Hefei-byen, Anhui-provinsen
EN
AR
BG
HR
CS
DA
NL
FI
FR
DE
EL
HI
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
LV
LT
SR
SK
SL
UK
VI
TH
TR
FA
MS
BE
LA
UZ
