Componentes detectoris array photonis singularis InGaAs
Principale Praeceptum
Ambitus spectralis est 0.95~1.65 μm.
Clauditur in theca metallica levi et compacta.
Pixel operantur independenter et libere.
Pixeles debiles signa photonis dectectere possunt.
Interim mortuum et limen Geiger avalanche signum detegendi adjustabile est.
Applicationes typicae:
Mensura distantiae per nebulam, caliginem, et fumum
Monitio laser prope-infrarubrum
Laser metatio longe-distantialis
Communicatio laserica spatii longe distantis
- Conspectus
- Parametrum
- Inquisitio
- Producta Relata
Productus constat ex modulo detectoris, qui componitur per interconnectionem flip-chip array 4x4 de InGaAs unius-photonis avalanche diodae (SPAD) et chip CMOS principali passivo cum circuitu quenching, una cum modulo inverter voltagii, modulo frigidationis, et modulo controlis signalis. In operatione Geiger, unusquisque pixel componentis detectoris operatur independenter et libere, delectans infirma signa luminis in spectro prope-infrarubro inter 0.95 et 1.65 micrometra et praebens exitum tempore reali in signis electricis TTL.
| Parametri&Index | |
| Parametri technici | TECHNICAL INDEX |
| Genus instrumenti | InGaAs APD |
| Magnitudo tabulatis | 4X4 |
| Pixel magnitudine | 100μm x 100μm |
| Magnitudo Regionis Photosensibilis | 85μm x 85μm |
| Fenestra optica | Fenestra Optica Quartzina |
| Distantia a Superficie Photosensibili ad Fenestram Opticam | 4mm (crassitudo fenestrae: 1mm) |
| Operating adsum | 0.95μm ad 1.65μm |
| Efficientia delectionis | ≥10% (ad 1.57±0.05μm) |
| Frequentia Tenebrarum | ≤10KHz |
| Tempus Tremor | ≤500ps |
| Mortuum Tempus | Ajustabile ab 100 ad 1000ns |
| Rationem Pixel Efficientium | 100% |
| Temperatura operativa | -40°C ad +55°C |
| Temperatura recondita | -40°C ad +70°C |
| Consumptio potentiae | ≤15W |
EN
AR
BG
HR
CS
DA
NL
FI
FR
DE
EL
HI
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
LV
LT
SR
SK
SL
UK
VI
TH
TR
FA
MS
BE
LA
UZ
