Omnes Categoriae

Disposita Optoelectronic Integrata

Pagina Principalis >  Produse  >  Dispositivos Integrados Optoelectronicos

InGaAs photodiodes avalescentes

InGaAs photodiodes avalescentes

Principale Praeceptum:

Responsivitas Alta

Capacitas Inferior, Infra Sonus

Alta F requentia Operationis

Princeps reliability

Applicationes typicae:

Communicatio per F ibram Opticam Velocissima

Sensus per F ibram Opticam

Detectio Impulsus Optici Citissima

Designatio Laser

Delectio singularis photonis

  • Conspectus
  • Parametrum
  • Inquisitio
  • Producta Relata

Photodiodes Geiger-modus InGaAs (avalanche photodiode - APD) est productum specialiter designatum pro applicationibus enumerationis singularum photonum. Hoc apparatus operatur in modo "Geiger" per applicationem voltii maius quam voltium fracturae, quod facit photons incidentes generare magnam correntiam propter grandem incrementum intra diodam avalancham, effective permitte detectionem singularum photonum. Quando coniunctum cum circuitibus externis impulsi detectionis, facilitat detectionem singularum photonum in intervallo longitudo undarum 0.95-1.65 micrometrorum.

Productum venit in duabus structuris package: T0 coaxiale cauda et integrata forma papilionis cryogenica, et etiam potest personalizari ad requisita applicationum specificarum clientium.

Polling periodicum per technicas quasi-phasi matching consequitur, ubi electricum campum externum ad cristallum lithium niobati applicamus ut directionem polarizationis spontaneae cristalli ferroelectricorum dominiorum periodiciter inverserimus. Hoc solvit problemam phasium non congruentium, conversionem frequentiae pro diversis longitudoibus undarum faciendo possibilem.

Ex cristallis lithium niobati periodice pollitis (PPLN) RPE ductibus, in intervallo longitudois communicationis 1550nm, amissio transmissionis ad tantum 0.1dB/cm reduci potest, et amissio coniunctionis cum fibris opticis ad minimum 0.5dB minui potest. Haec specificatio technica iam ad summum internationale pervenit.

Parametri&Index
Parametri technici TECHNICAL INDEX
Tensionis disruptivae inversae ≤90V(@Tamb=25°C±3°C,IR=10uA, Φe=0)
Currentem obscurum ≤2nA(@Tamb=25°C±3°C,VDC=(VBR-1)V, Φe=0)
Efficientia delectionis 20%(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,λ=1550nm±50nm)
Frequentia Tenebrarum ≤5kHz(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,PDE=20%)
Probabilitas Postpulsus ≤6%(@Tth=-30°C±5°C,λ=1550nm±50nm,fgate=1.25GHz,PDE=20%,tdead=1000ns)
Differens Temperaturae Refrigérationis TEC ≤60°C(@ITEC=Imax,Tamb=+50°C,PED=20%)
Temperatura operativa -40-45°C
Temperatura recondita -50-70°C
Consumptio Potentiae Frigidariae ≤9.52W
Sensibilitas ad Discharge Electrostaticam 250V
Maximus Valor Voltii Refrigeratoris 11.9V
Maximus Valor Curretus Frigoriferi 0.8A
NTC (Resistentia Sensibilis ad Temperaturam) RT=10KΩ@25°C
Intervallum Resistentiae Resistentis TR 50Ω±10Ω

Contingere