Minghang Vitrea

Sensorem planum focalis cum array linearis InGaAs

Principale Praeceptum
Longum array lineare parvulum pixel cum alta resolutione
512X2 output columna linearis duplex
Altus readout rate pixel (14MHz)
Frequentia lineae maxima 20KHz
Quattuor optiones gain per redimicula
Conveniens ad multas necessitates applicationis in variis scenario
32 pin ceramic Dual in-line package

Applicationes typicae:
Examinatio obiectorum extraneorum
Examinatio productorum agricolae
Imago scandens linearis
Probatio non devastativa industrialis
Analyseos spectralis

Inquisitio DOWNLOAD

Conspectus
Parametrum
Inquisitio
Producta Relata

Sensor linearis InGaAs brevis infrarubri GD-NIR512L2-CD habet proprietates alti sensus, bassi rumoris, et bassae correntis obscurae. Sensor componitur ex chip array photodiode InGaAs et chip circuituum processionis signorum CMOS. Conectatur per contactum per arrays punctiformium convexorum indii (In) et potest latissime adhiberi in campis sicut delectio productorum agrariarum, delectio industrialis, et delectio optico-electronica.
Sensorem constat ex duobus independentibus 1X512 structuratis circuitis, quilibet continens 512 canales e caucho. Unusquisque canal continet circuitum amplificationis charge, circuitum CDS gain, circuitum retentionis, circuitum columnae buffer, et logicam circuiti controlis. Stadium input adoptat structuram CTIA cum multis gradibus conversionis voltage charge, sustinet functiones reductionis contra coronam et correlatas adoptionis dualis (CDS), et sustinet duas formas frigoris et non frigoris.

Parametri&Index
Technica Morbi laoreet	Technica Index
Genus instrumenti	InGaAs p-in-n Typum
Scalae Array	2X512
Pixel magnitudine	25umX25um
Magnitudo Superficiis Photosensibilis	0.05mmX12.8mm
Forma confectionis	32-DIP Ceramic Shell Resin Packaging
Optoelectronic Characteristics @ 22±3°C
Frequentia Lineae Maxima	20KHz
Maximus Rationis Legentis Pixel	14KHz
Tempus Integrale	≥10us Maius vel Aequale 10us
Ambitus responsionis spectralis	0.92~1.65um
Fuscitas Legentis	≤60e(RMS)@10KHz, Alta Incrementum
Atmosphaera Dynamica	≥60dB
Caracteristicae Electrificae
Ambitus Temperatura operandi	-20° C~+60° C
Summa Potentia Consumptio in Operando	300mW
Ambitus Praeteritionis Pixel	-0.5V~0V
Gradus Anti-staticus ESD	800V~1000V