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InGaAs 선형 배열 초점 평면 센서

핵심 장점
고해상도 소형 픽셀의 긴 선형 배열
512X2 듀얼 라인 열 출력
고속 픽셀 읽기 속도 (14MHz)
최대 라인 주파수 20KHz
네 가지 기어 게인 옵션
다양한 시나리오의 응용 요구에 적합
32핀 세라믹 듀얼 인라인 패키지

전형적인 응용 프로그램:
이물질 검출
농산물 품질 검사
라인 스캔 영상 처리
산업용 비파괴 검사
스펙트럼 분석

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개요
매개변수
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GD-NIR512L2-CD 단파장 적외선 InGaAs 선형 배열 센서는 높은 감도, 낮은 노이즈 및 낮은 암 전류의 특성을 가지고 있습니다. 이 센서는 InGaAs 광전지 배열 칩과 CMOS 신호 처리 회로 칩으로 구성되어 있으며 인듐(In) 볼록 점 배열을 통해 도전적으로 연결되며 농산물 검출, 산업 검출, 광전자 검출 등 다양한 분야에서 널리 사용될 수 있습니다.
센서는 두 개의 독립적인 1X512 구조 회로로 구성되어 있으며 각각 512개의 고무 채널을 포함하고 있습니다. 각 채널에는 전하 증폭 회로, CDS 이득 회로, 홀드 회로, 열 버퍼 회로 및 제어 회로 논리가 포함되어 있습니다. 입력 스테이지는 다단계 전하-전압 변환 이득을 가진 CTIA 구조를 채택하며, 방전 저항 및 상관 이중 샘플링(CDS) 노이즈 저감 기능을 지원하며 냉각 및 비냉각 두 가지 형태를 지원합니다.

매개변수&인덱스
기술 사양 매개변수	기술 사양 인덱스
장치 유형	InGaAs p-on-n 타입
배열 규모	2X512
픽셀 크기	25umX25um
광전도성 면적 크기	0.05mmX12.8mm
포장 형태	32-DIP 세라믹 케이스 수지 패키징
광전자 특성 @ 22±3°C
최대 선 주파수	20kHz
최대 픽셀 읽기 속도	14KHz
적분 시간	≥10us 10마이크로초 이상
스펙트럼 반응 범위	0.92~1.65um
리드아웃 노이즈	≤60e(RMS)@10KHz, 고 이득
동적 대기	≥60dB
전기적 특성
작동 온도 범위	-20° C~+60° C
최대 작동 전력 소비	300mW
화소 편향 범위	-0.5V~0V
ESD 정전기 방지 수준	800V~1000V