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InGaAs 에벌란스 포토다이오드

핵심 장점:

고 민감도

저 용량, 저 잡음

고 작동 주파수

높은 신뢰성

전형적인 응용 프로그램:

고속 광섬유 통신

광섬유 센싱

빠른 광펄스 검출

레이저 거리 측정

단일 광자 검출

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개요
매개변수
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InGaAs 지거 모드 애벌런치 포토다이오드(APD)는 단일 광자 카운팅 응용을 위해 특별히 설계된 제품입니다. 이 장치는 "지거 모드"에서 작동하며, 피크 전압보다 높은 전압을 적용하여 입사 광자가 애벌런치 다이오드 내부의 큰 증폭으로 인해 큰 전류를 발생시켜 단일 광자를 감지할 수 있게 합니다. 적합한 외부 펄스 탐지 회로와 결합하면 0.95-1.65마이크로미터 파장 범위에서 단일 광자 탐지를 가능하게 합니다.

이 제품은 두 가지 패키지 구조로 제공됩니다: T0 동축 테일 및 통합 크라이오타닉 버터플라이이며, 고객의 특정 응용 요구사항에 따라 맞춤형으로 제작할 수도 있습니다.

주기적 폴링은 준위상맞춤 기술을 통해 달성되며, 외부 전기장이 리튬니오베이트 결정에 적용되어 결정의 철전 영역들의 자발적 극화 방향을 주기적으로 반전시킵니다. 이는 위상 불일치 문제를 해결하고 다양한 파장에 대한 주파수 변환을 가능하게 합니다.

주기적으로 폴링된 리튬니오베이트 (PPLN) RPE 웨이브가이드를 기반으로 하여, 1550nm 통신 파장 범위에서 전송 손실은 0.1dB/cm까지 낮출 수 있으며, 광섬유와의 결합 손실은 0.5dB까지 최소화할 수 있습니다. 이러한 기술 사양들은 국제적인 선도 수준에 도달했습니다.

매개변수&인덱스
기술 매개변수	기술 지표
역방향 피어싱 전압	≤90V(@Tamb=25°C±3°C,IR=10uA, Φe=0)
암흑 전류	≤2nA(@Tamb=25°C±3°C,VDC=(VBR-1)V, Φe=0)
탐지 효율	20%(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,λ=1550nm±50nm)
다크 카운트 레이트	≤5kHz(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,PDE=20%)
애프터펄스 확률	≤6%(@Tth=-30°C±5°C,λ=1550nm±50nm,fgate=1.25GHz,PDE=20%,tdead=1000ns)
TEC 냉각 온도 차이	≤60°C(@ITEC=Imax,Tamb=+50°C,PED=20%)
작동 온도	-40-45°C
보관 온도	-50-70°C
쿨러 전력 소비	≤9.52W
정전기 방전 민감도	250V
냉장고의 최대 전압 값	11.9V
냉장고의 최대 전류 값	0.8A
NTC (온도 감응 저항기)	RT=10KΩ@25°C
샘플링 저항기 TR 저항 범위	50Ω±10Ω