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InGaAs 애벌런치 포토다이오드

주요 장점 :

높은 반응성

낮은 정전용량, 저잡음

높은 작동 주파수

높은 신뢰성

일반적인 응용 프로그램 :

고속 광섬유 통신

광섬유 감지

신속한 광 펄스 감지

레이저 거리 측정

단일 광자 감지

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개요
매개 변수
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InGaAs 가이거 모드 APD(Avalanche Photodiode)는 특수 제품입니다. 단일 광자 계수 응용 분야용으로 설계되었습니다. 이 장치는 다음에서 작동합니다. 항복전압보다 높은 전압을 인가하여 "가이거 모드"로 입사 광자는 내부의 상당한 이득으로 인해 큰 전류를 생성합니다. 눈사태 다이오드를 사용하여 단일 광자를 효과적으로 감지할 수 있습니다. 언제 일치하는 외부 펄스 감지 회로와 결합되어 0.95-1.65 마이크로미터 파장 범위에서 단일 광자 검출.

이 제품은 T0 동축 피그테일과 TXNUMX 동축 피그테일의 두 가지 포장 구조로 제공됩니다. 통합된 극저온 나비이며 특정 고객을 위해 맞춤 설정할 수도 있습니다. 신청 요구 사항.

주기적 폴링은 준위상 매칭 기술을 통해 달성됩니다. 외부 전기장이 니오브산리튬 결정에 인가되어 주기적으로 결정의 자발 분극 방향을 반전시킵니다. 강유전성 도메인. 이는 위상 불일치 문제를 해결하여 다양한 파장에 대한 주파수 변환.

주기적으로 극성을 띠는 니오브산리튬(PPLN) RPE 도파관을 기반으로 합니다. 1550nm의 통신 파장 범위, 전송 손실은 다음과 같이 감소될 수 있습니다. 0.1dB/cm 정도로 낮으며, 광섬유와의 결합 손실을 최소화하여 0.5dB. 이러한 기술 사양은 국제적인 선도에 도달했습니다. 수준.

매개변수&지수
기술적 인 매개 변수	기술 색인
역방향 항복 전압	≤90V(@Tamb=25°C±3°C,IR=10uA, Φe=0)
암전류	≤2nA(@Tamb=25°C±3°C,VDC=(VBR-1)V, Φe=0)
탐지 효율성	20%(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,λ=1550nm±50nm)
다크 카운트 비율	≤5kHz(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,PDE=20%)
이후 펄스 확률	≤6%(@Tth=-30°C±5°C,λ=1550nm±50nm,fgate=1.25GHz,PDE=20%,tdead=1000ns)
TEC 냉각 온도차	≤60°C(@ITEC=Imax,Tamb=+50°C,PED=20%)
작동 온도	-40-45 ° C
저장 온도	-50-70 ° C
쿨러 전력 소비	≤9.52W
정전기 방전 감도	250V
냉장고의 최대 전압 값	11.9V
냉장고의 최대 전류 값	0.8
NTC(온도 감지 저항기)	RT=10KΩ@25°C
샘플링 저항기 TR 저항 범위	50Ω ± 10Ω