칩상 광통신을 위한 다중 파장 양자 우물 나노와이어 어레이 마이크로 LED

프로세서 코어의 수가 계속 증가함에 따라, 이를 연결하는 문제도 더욱 복잡해지고 있습니다. 전통적인 전기 네트워크는 지연 시간, 제한된 대역폭 및 높은 에너지 소비 때문에 이러한 요구를 충족시키기에 부족합니다. 오랫동안 연구원들은 더 나은 대체 방안을 찾고 있으며, 칩 상의 나노 광학 시스템이 전통적인 전기 네트워크의 대체案으로 주목받고 있습니다.

통신 파장에서 작동하는 고속 적외선 마이크로 발광 다이오드(LED)에 대한 보고는 아직 제한적이며, 이는 Li-Fi 기술, 광학 집적 회로(PICs), 그리고 생물학적 응용 분야의 미래 발전에 중요합니다. 최근 새로운 논문에서는 높은 균일성을 가진 pi-n 코어-셸 인듐갈륨아르센라이드/인듐リン(InGaAs/InP) 싱글 얀트 웰(QW) 나노와이어 어레이 LED의 선택적 영역 성장 및 제작 과정이 소개되었습니다.