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Dispositivi Integrati Ottoelettronici

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Fotodiodo ad avalanga InGaAs

Fotodiodo ad avalanga InGaAs

Vantaggio Chiave:

Alta Risponsività

Bassa Capacità, Basso Rumore

Alta Frequenza Operativa

Alta affidabilità

Applicazioni tipiche:

Comunicazione via fibra ottica ad alta velocità

Rilevamento ottico su fibra ottica

Rilevamento rapido di impulsi ottici

Rilevamento Laser

Rilevamento a singolo fotone

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La fotodiodo ad avalanga (APD) a base di InGaAs in modalità Geiger è un prodotto specificamente progettato per applicazioni di conteggio di singoli fotoni. Questo dispositivo opera in "modalità Geiger" applicando una tensione superiore alla tensione di rottura, causando la generazione di una corrente elevata da parte dei fotoni incidenti a causa del considerevole guadagno all'interno della diodo ad avalanga, consentendo efficacemente la rilevazione di singoli fotoni. Quando combinato con circuiti esterni di rilevamento impulsi adeguati, consente la rilevazione di singoli fotoni nell'intervallo di lunghezze d'onda di 0,95-1,65 micrometri.

Il prodotto è disponibile in due strutture di imballaggio: T0 coaxiale pigtail e farfalla criogenica integrata, e può inoltre essere personalizzato per soddisfare i requisiti delle applicazioni dei clienti.

La poling periodica viene realizzata attraverso tecniche di accoppiamento di fase quasi-periodico, dove un campo elettrico esterno viene applicato al cristallo di litio niobato per invertire periodicamente la direzione della polarizzazione spontanea dei domini ferro-elettrici del cristallo. Questo risolve il problema di mismatch di fase, consentendo la conversione di frequenza per diverse lunghezze d'onda.

Basato su waveguide RPE a litio niobato periodicamente poled (PPLN), nella gamma di lunghezza d'onda di comunicazione di 1550nm, le perdite di trasmissione possono essere ridotte fino a 0,1dB/cm, e le perdite di accoppiamento con i fili ottici possono essere minimizzate a 0,5dB. Queste specifiche tecniche hanno raggiunto un livello leader a livello internazionale.

Parametri&Indice
Parametri tecnici Indice tecnico
Tensione di inversione ≤90V(@Tamb=25°C±3°C,IR=10uA, Φe=0)
Corrente scura ≤2nA(@Tamb=25°C±3°C,VDC=(VBR-1)V, Φe=0)
Efficienza di Rilevamento 20%(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,λ=1550nm±50nm)
Tasso di Conteggio Oscuro ≤5kHz(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,PDE=20%)
Probabilità di afterpulse ≤6%(@Tth=-30°C±5°C,λ=1550nm±50nm,fgate=1.25GHz,PDE=20%,tdead=1000ns)
Differenza di Temperatura per Raffreddamento TEC ≤60°C(@ITEC=Imax,Tamb=+50°C,PED=20%)
Temperatura di funzionamento -40-45°C
Temperatura di conservazione -50-70°C
Consumo di Energia del Raffreddatore ≤9.52W
Sensibilità alla Scarica Elettrostatica 250 V
Valore Massimo della Tensione del Frigorifero 11.9V
Valore di Corrente Massimo del Frigorifero 0.8A
NTC (Resistore Sensibile alla Temperatura) RT=10KΩ@25°C
Intervallo di Resistenza del Resistore di Campionamento TR 50Ω±10Ω

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