InGaAs गेट्ड एकल-फोटॉन डिटेक्टर

यह उत्पाद एक ऐसा एकल-फोटॉन डिटेक्टर है जिसमें स्वतंत्र बौद्धिक संपत्ति अधिकार है। मुख्य घटक में घरेलू रूप से विकसित InGaAs/InP APDs का उपयोग किया गया है, जिसमें स्वतंत्र बौद्धिक संपत्ति अधिकार है, जिसमें उच्च कार्यक्षमता, कम शोर और उच्च स्थिरता जैसी विशेषताएँ हैं। यह एकल-फोटॉन स्तर पर कमजोर संकेतों की परीक्षण में अपरिहार्य भूमिका निभाता है और क्वांटम संकेत ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स कनवर्शन के रूप में मुख्य उपकरण का काम करता है।
इस उत्पाद को एक गेट मोड़ में संचालित करते हुए, यह तकनीकों का उपयोग करता है जैसे कि गेट मॉडुलेशन, अवलंब सिग्नल विभेदन, और मृत-समय दबाव को कम करने के लिए जबकि उच्च कुशलता सुनिश्चित करता है। 1.25 GHz की ट्रिगर आवृत्ति पर, डिटेक्टर की अधिकतम कुशलता ≥25% है, न्यूनतम डार्क काउंट दर 300 cps और 200 ns के मृत समय पर न्यूनतम बाद-पल्स दर 1% है। इसमें उपयोगकर्ता-विन्यासित पैरामीटर्स का समर्थन है, जैसे कि बायास वोल्टेज, मृत समय और विभेदन थRESHOLD, और रूढ़िवादी देरी स्कैनिंग और पल्स डिटेक्शन कार्य। इसके अलावा, इसमें अंदरूनी समय-सैंडिजिटल कनवर्शन (TDC) क्षमता है, जो दो अधिग्रहण चैनल्स प्रदान करती है जिनकी विभेदनता कम से कम 50 ps तक हो सकती है।