InGaAs अवलांच फोटोडायोड

इन्डियम गैलियम अर्सेनाइड (InGaAs) जाइगर-मोड एवलैंच फोटोडायोड (APD) एक उत्पाद है जो विशेष रूप से एकल-फोटॉन काउंटिंग अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है। इस उपकरण को "जाइगर मोड" में काम करने के लिए ब्रेकडाउन वोल्टेज से अधिक वोल्टेज लगाया जाता है, जिससे आपूर्ति होने वाले फोटॉन एवलैंच डायोड के भीतरी बढ़त के कारण बड़ा विद्युत प्रवाह उत्पन्न करते हैं, जिससे एकल फोटॉन का पता लगाना संभव हो जाता है। इसे बाहरी पल्स डिटेक्शन सर्किट के साथ जोड़ने पर, यह 0.95-1.65 माइक्रोमीटर तरंगदैर्ध्य की सीमा में एकल फोटॉन का पता लगाने में सक्षम बनाता है।

इस उत्पाद को दो पैकेजिंग संरचनाओं में उपलब्ध किया जाता है: T0 कोएक्सियल पिगटेल और एकीकृत क्रायोजेनिक बटरफ्लाई, और यह ग्राहकों की विशिष्ट अनुप्रयोग आवश्यकताओं के अनुसार संशोधित भी किया जा सकता है।

आवर्ती पोलिंग को ऑक्वासी-फ़ेज मैचिंग तकनीक के माध्यम से प्राप्त किया जाता है, जहाँ एक बाहरी विद्युत क्षेत्र लिथियम नियोबेट क्रिस्टल पर लागू किया जाता है ताकि क्रिस्टल के फ़ेरोइलेक्ट्रिक डोमेन की स्वतंत्र ध्रुवण दिशा को आवर्ती रूप से उलटा दिया जा सके। यह फ़ेज मिसमैच समस्या को सुलझाता है, अलग-अलग तरंगदैर्ध्यों के लिए आवृत्ति परिवर्तन संभव बनाता है।

नियमित रूप से पोल्ड लिथियम नियोबेट (PPLN) RPE तरंगपथों पर आधारित, संचार तरंगदैर्ध्य 1550nm की सीमा में, परिवहन हानि को केवल 0.1dB/cm तक कम किया जा सकता है, और ऑप्टिकल फाइबर के साथ कप्लिंग हानि को 0.5dB तक कम किया जा सकता है। ये तकनीकी विनिर्देश अंतरराष्ट्रीय नेतृत्व के स्तर पर पहुंच गए हैं।