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Dispositifs optoélectroniques intégrés

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Photodiode à avalanche InGaAs

Photodiode à avalanche InGaAs

Avantage clé:

Haute réactivité

Faible capacité, faible bruit

Fréquence de fonctionnement élevée

Haute fiabilité

Applications typiques:

Communication par fibre optique à haut débit

Détection par fibre optique

Détection rapide des impulsions optiques

Télémétrie laser

Détection de photon unique

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La photodiode à avalanche (APD) en mode Geiger InGaAs est un produit spécialement conçu pour les applications de comptage de photons uniques. Ce dispositif fonctionne en « mode Geiger » en appliquant une tension supérieure à la tension de claquage, ce qui amène les photons incidents à générer un courant important en raison du gain substantiel au sein de la diode à avalanche, permettant ainsi la détection de photons uniques. Lorsqu'il est combiné avec des circuits de détection d'impulsions externes correspondants, il permet la détection d'un photon unique dans la plage de longueurs d'onde de 0.95 à 1.65 micromètres.

Le produit est disponible en deux structures d'emballage : tresse coaxiale T0 et papillon cryogénique intégré, et peut également être personnalisé pour les exigences spécifiques des applications client.

La polarisation périodique est obtenue grâce à des techniques de quasi-adaptation de phase, dans lesquelles un champ électrique externe est appliqué au cristal de niobate de lithium pour inverser périodiquement la direction de polarisation spontanée des domaines ferroélectriques du cristal. Cela résout le problème de décalage de phase, permettant la conversion de fréquence pour différentes longueurs d'onde.

Sur la base de guides d'ondes RPE au niobate de lithium (PPLN) à polarisation périodique, dans la plage de longueurs d'onde de communication de 1550 0.1 nm, les pertes de transmission peuvent être réduites à 0.5 dB/cm et les pertes de couplage avec les fibres optiques peuvent être minimisées à XNUMX dB. Ces spécifications techniques ont atteint un niveau de pointe international.

Paramètres et index
Paramètres techniques Index technique
Tension de claquage inverse ≤90V(@Tamb=25°C±3°C,IR=10uA, Φe=0)
Courant sombre ≤2nA(@Tamb=25°C±3°C,VDC=(VBR-1)V, Φe=0)
Efficacité de détection 20%(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,λ=1550nm±50nm)
Taux de comptage des ténèbres ≤5kHz(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,PDE=20%)
Probabilité de post-impulsion ≤6%(@Tth=-30°C±5°C,λ=1550nm±50nm,fgate=1.25GHz,PDE=20%,tdead=1000ns)
Différence de température de refroidissement TEC ≤60°C (@ITEC=Imax,Tamb=+50°C,PED=20%)
Température de fonctionnement -40-45 ° C
Température de stockage -50-70 ° C
Consommation d'énergie du refroidisseur ≤ 9.52W
Sensibilité aux décharges électrostatiques 250V
Valeur de tension maximale du réfrigérateur 11.9V
Valeur actuelle maximale du réfrigérateur 0.8A
NTC (résistance sensible à la température) TA=10KΩ à 25°C
Plage de résistance TR de la résistance d'échantillonnage 50Ω ± 10Ω

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