EN
AR
BG
HR
CS
DA
NL
FI
FR
DE
EL
HI
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
LV
LT
SR
SK
SL
UK
VI
TH
TR
FA
MS
BE
LA
UZ
- خلاصه
- پارامتر
- استعلام
- محصولات مرتبط
فوتودیود آوالانش مدولژه‌ای InGaAs (APD) یک محصول اختصاصی برای کاربردهای شمارش فوتون تکی است. این دستگاه در حالت "مدولژه" عمل می‌کند، با اعمال ولتاژ بیشتر از ولتاژ شکست، باعث می‌شود فوتون‌های ورودی به دلیل سودمندی قابل توجه داخل دیود آوالانش، جریان زیادی تولید کنند و به طور مؤثر به شناسایی فوتون‌های تکی کمک کند. هنگامی که با مدارهای پالس‌شناسی خارجی مناسب ترکیب می‌شود، شناسایی فوتون تکی را در دامنه موج 0.95 تا 1.65 میکرومتر امکان‌پذیر می‌سازد.
این محصول در دو ساختار بسته‌بندی موجود است: دنباله توکسیال T0 و پروانه انتگرالی سرماگیر، و همچنین می‌تواند برای نیازهای خاص کاربران سفارشی شود.
پلک‌بندی دوره‌ای با استفاده از تکنیک‌های جفت‌شدن فاز شبه‌سازگار انجام می‌شود، که در آن یک میدان الکتریکی خارجی به بلور لیتیوم نیوبات اعمال می‌شود تا جهت قطبش خودسرانه دامنه‌های فروالکتریک بلور به طور دوره‌ای معکوس شود. این موضوع مشکل نامطابقت فاز را حل می‌کند و امکان تبدیل فرکانس برای طول‌موج‌های مختلف را فراهم می‌کند.
بر اساس راهروها RPE با PPLN (لیتیوم نیوبات پلک‌بندی‌شده دوره‌ای)، در برد طول موج ارتباطی 1550nm، ضریب ازدیاد به حداقل 0.1dB/cm کاهش می‌یابد و ضریب ازدیاد اتصال با فیبرهای نوری به 0.5dB کاهش می‌یابد. این مشخصات فنی به سطح بین‌المللی رهبری رسیده است.
| پارامترها و شاخص | |
| پارامترهای فنی | شاخص فنی |
| ولتاژ شکست معکوس | ≤90V(@Tamb=25°C±3°C,IR=10uA, Φe=0) |
| جریان تاریکی | ≤2nA(@Tamb=25°C±3°C,VDC=(VBR-1)V, Φe=0) |
| کارایی تشخیص | 20%(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,λ=1550nm±50nm) |
| نرخ شمارش تاریک | ≤5kHz(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,PDE=20%) |
| احتمال پس‌الق | ≤6%(@Tth=-30°C±5°C,λ=1550nm±50nm,fgate=1.25GHz,PDE=20%,tdead=1000ns) |
| تفاضل دمای یخ زنی TEC | ≤60°C(@ITEC=Imax,Tamb=+50°C,PED=20%) |
| دماي عملکرد | -40 تا -45°C |
| دماي ذخیره سازی | -50 تا 70°C |
| مصرف برق سیستم یخ زنی | ≤9.52W |
| حساسیت به بار الکترواستاتیک | 250V |
| بیشترین مقدار ولتاژ فریزر | 11.9V |
| بیشترین مقدار جریان فریزر | 0.8A |
| NTC (موسد حساس به دما) | RT=10KΩ@25°C |
| محدوده مقاومت موسد نمونه‌گیری | 50Ω±10Ω |
