All

Φωτοδιόδος InGaAs με απλούστερη απόρριψη

Βασική Προοπτική:

Υψηλή Ανταπόκριση

Χαμηλή Χωρητικότητα, Χαμηλός Θόρυβος

Υψηλή Συχνότητα Λειτουργίας

Υψηλή αξιοπιστία

Τυπικές εφαρμογές:

Υψηλή ταχύτητα επικοινωνίας με ιονικά κλωστά

Αισθητικά φωτικών ινών

Γρήγορη ανίχνευση οπτικών δεινών

Λασερική απόσταση

Εντοπισμός μοναδικών φωτισμάτων

Ερώτηση ΛΗΨΗ

Επισκόπηση
Παράμετρος
Ερώτηση
Σχετικά Προϊόντα

Το φωτοδιόδιο απλοϊκής λάβης με υλικό InGaAs (APD) είναι ένα προϊόν που σχεδιάστηκε ειδικά για εφαρμογές μετρήσεων μοναδικών φωτονίων. Αυτό το συσκευασιούδιο λειτουργεί σε "λάτρα Geiger" με την εφαρμογή ενός ηλεκτροτάσεων υψηλότερης από την ηλεκτροτάση διάρρευσης, προκαλώντας τη δημιουργία μεγάλης ηλεκτροπαροχής λόγω του μεγάλου κέρδους μέσα στο διόδιο απλοϊκής λάβης, επιτρέποντας έτσι την ανίχνευση μοναδικών φωτονίων. Όταν συνδυαστεί με εξωτερικά κυκλώματα ανίχνευσης χτυπημάτων, επιτρέπει την ανίχνευση μοναδικών φωτονίων στην κύματος μήκος 0,95-1,65 μικρομέτρων.

Το προϊόν είναι διαθέσιμο σε δύο δομές συσκευασίας: T0 συμπλέγματος coaxial και ολοκληρωμένο κρυογενικό butterfly, και μπορεί επίσης να προσαρμοστεί σε ειδικές απαιτήσεις εφαρμογών πελατών.

Η περιοδική ροπή επιτυγχάνεται μέσω τεχνικών συμφασικής ισοσήμανσης, όπου εφαρμόζεται εξωτερικό ηλεκτρικό πεδίο στο κρύσταλλο λιθίου νιοβάτη για να αντιστρέφεται περιοδικά η κατεύθυνση της αυτομάτως ροπής των φεροηλεκτρικών τομέων του κρυστάλλου. Αυτό λύνει το πρόβλημα της φάσης άνισης, επιτρέποντας την μετατροπή συχνότητας για διαφορετικές βαθμολογίες.

Με βάση τους κυματοδότες RPE με περιοδικά ροπισμένο λιθίου νιοβάτη (PPLN), στην επικοινωνιακή βαθμολογία 1550nm, οι απώλειες μετάδοσης μπορούν να μειωθούν σε χαμηλότερες από 0,1dB/cm, ενώ οι απώλειες σύνδεσης με ιονικά κλωστά μπορούν να ελαχιστοποιηθούν σε 0,5dB. Αυτές οι τεχνικές προδιαγραφές έχουν φτάσει σε διεθνή πρωτοποριακό επίπεδο.

Παράμετροι&Δείκτες
Τεχνικές Παράμετροι	Τεχνικές προδιαγραφές
Αντίστροφη Ελάχιστη Τάση Συρρικνύσεως	≤90V(@Tamb=25°C±3°C,IR=10uA, Φe=0)
Σκοτεινό ρεύμα	≤2nA(@Tamb=25°C±3°C,VDC=(VBR-1)V, Φe=0)
Αποδοτικότητα ανίχνευσης	20%(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,λ=1550nm±50nm)
Ρυθμός Σκούρων Μετρήσεων	≤5kHz(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,PDE=20%)
Πιθανότητα Μεταγενέστερων Παλινδρομιών	≤6%(@Tth=-30°C±5°C,λ=1550nm±50nm,fgate=1.25GHz,PDE=20%,tdead=1000ns)
Διαφορά Θερμοκρασίας Ψύξης TEC	≤60°C(@ITEC=Imax,Tamb=+50°C,PED=20%)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-40-45°C
Οθόνη αποθήκευσης	-50-70°C
Κατανάλωση Ενέργειας Ψυγείου	≤9.52W
Αισθησιμότητα Σε Ηλεκτροστατική Απόπειρα	250v
Μέγιστο Τιμή Έλεκτροτάσης Ψυγείου	11.9V
Μέγιστη Τιμή Ρεύματος Κρυοθήκης	0.8A
NTC (Θερμοαίσθητος Αντιστάτης)	RT=10KΩ@25°C
Περιοχή Αντιστάσεως Αντιστατικού Δειγματοληψίας TR	50Ω±10Ω