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InGaAs Einzelphtonarraydetektor-Komponente

Schlüsselvorteil
Der spektrale Empfindlichkeitsbereich ist 0,95~1,65 μm.
Es ist in einer leichten und kompakten Metallhülle verpackt.
Die Pixel arbeiten unabhängig und frei.
Die Pixel können schwache Photonensignale detektieren.
Die Totzeit und der Geiger-Avalanch-Signalerkennungsschwellwert sind einstellbar.

Typische Anwendungen:
Entfernungsmessung durch Nebel, Dunst und Rauch
Nahinfrarot-Laserwarnung
Langstrecken-Laserentfernungsmessung
Langstrecken-Raumfahrt-Laserkommunikation

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Parameter
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Das Produkt besteht aus einem Detektormodul, das durch Flip-Chip-Verbindung eines 4x4 Arrays von InGaAs-Einzelphotonen-Avalanch-Dioden (SPAD)-Chips und eines CMOS-Hauptchips mit passiver Abschaltkreis zusammengebaut wird, sowie einem Spannungsinvertermodul, einem Kühlmodul und einem Signalsteuermodul. Im Geiger-Modus-Betrieb arbeitet jedes Pixel des Detektors unabhängig und frei, erkennt schwache Lichtsignale im nahen Infrarotwellenlängenbereich von 0,95 bis 1,65 Mikrometern und gibt Echtzeit-Ausgaben in TTL-Elektrosignalen.

Parameter&Index
Technische Parameter	Technischer Index
Gerätetyp	InGaAs APD
Arraygröße	4x4
Pixelgröße	100μm x 100μm
Photosensible Flächengröße	85μm x 85μm
Optisches Fenster	Quarzoptisches Fenster
Abstand vom lichtempfindlichen Bereich zum optischen Fenster	4mm (Fensterdicke: 1mm)
Betriebswellenlänge	0,95μm bis 1,65μm
Erkennungseffizienz	≥10% (bei 1,57±0,05μm)
Dunkelzählrate	≤10KHz
Zeitjitter	≤500ps
Tote Zeit	Einstellbar von 100 bis 1000ns
Effektive Pixelrate	100%
Betriebstemperatur	-40°C bis +55°C
Lagertemperatur	-40°C bis +70°C
Stromverbrauch	≤15W