
InGaAs Linearanrays-Brennebenensensor
Schlüsselvorteil
Langer Lineararray mit kleinem Pixel und hoher Auflösung
512X2 Dual-Linien-Spaltenausgabe
Hohe Pixel-Auslesegeschwindigkeit (14MHz)
Maximale Linienfrequenz 20KHz
Vier Stufen Gewinnregelung
Geeignet für Anwendungsbedarf in verschiedenen Szenarien
32-poliges keramisches Dual-In-Line-Gehäuse
Typische Anwendungen:
Fremdkörpererkennung
Prüfung von Agrarprodukten
LinienScan-Bildgebung
Industrielle zerstörungsfreie Prüfung
Spektralanalyse
- Übersicht
- Parameter
- Anfrage
- Verwandte Produkte
Der GD-NIR512L2-CD Kurzwellen-Infrarot-InGaAs-Linearsensor weist die Eigenschaften hoher Empfindlichkeit, niedrigen Rauschens und geringen Dunkelstrom auf. Der Sensor besteht aus InGaAs-Photodiodenarray-Chips und CMOS-Signalverarbeitungsschaltkreis-Chips. Er ist über Indium (In) konvexe Punktmuster elektrisch verbunden und kann in vielen Bereichen eingesetzt werden, wie der Agrarprodukt-Detektion, industriellen Detektionen und optoelektronischen Detektionen.
Der Sensor besteht aus zwei unabhängigen 1X512 strukturierten Schaltungen, wobei jede 512 Gummikanaele enthält. Jeder Kanal umfasst eine Ladeverstärkungsschaltung, eine CDS-Verstärkungsschaltung, eine Halteschaltung, einen Spaltenpufferschaltung und eine Logik für die Steuerschaltung. Die Eingangsstufe verwendet eine CTIA-Struktur mit mehrstufiger Lade-Spannungs-Wandlung, unterstützt Antikorona- und korrelierte Doppeladoptions- (CDS) -Rauschunterdrückungsfunktionen und unterstützt zwei Formen der Kühlung und Nichtkühlung.
Parameter&Index | |
Technische Parameter | Technische Index |
Gerätetyp | InGaAs p-auf-n Typ |
Skala des Arrays | 2X512 |
Pixelgröße | 25µmX25µm |
Größe der lichtempfindlichen Oberfläche | 0,05mmX12,8mm |
Verpackungsform | 32-DIP Keramikgehäuse Harzverpackung |
Optoelektronische Kennwerte bei 22±3°C | |
Höchstfrequenz der Leitung | 20 kHz |
Maximale Pixel-Lesegeschwindigkeit | 14KHz |
Integrationszeit | ≥10us Größer oder gleich 10us |
Spektrale Antwortbereich | 0.92~1.65um |
Auslese-Rauschen | ≤60e(RMS)@10KHz,Hochgewinn |
Dynamische Atmosphäre | ≥60dB |
Elektrische Eigenschaften | |
Betriebstemperaturbereich | -20° C~+60° C |
Maximale Arbeitsleistungsaufnahme | 300mW |
Pixel-Spannungsbereich | -0,5V~0V |
ESD-Antistatik-Level | 800V~1000V |