Eine Multi-Wellenlängen-Quantumwell-Nanodraht-Array-Mikro-LED für die optische On-Chip-Kommunikation

Da die Anzahl der Prozessorkerne immer weiter zunimmt, sind auch die Herausforderungen bei deren Verknüpfung gewachsen. Herkömmliche Stromnetze können den Anforderungen aufgrund von Latenz, begrenzter Bandbreite und hohem Energieverbrauch nicht gerecht werden. Seit langem suchen Forscher nach besseren Alternativen, und nanophotonische On-Chip-Systeme haben sich als vielversprechender Ersatz für herkömmliche elektrische Netzwerke herausgestellt.

Es gibt immer noch begrenzte Berichte über Hochgeschwindigkeits-Infrarot-Mikroleuchtdioden (LEDs), die bei Telekommunikationswellenlängen arbeiten und für die zukünftige Entwicklung der Li-Fi-Technologie, photonischer integrierter Schaltkreise (PICs) und biologischer Anwendungen von entscheidender Bedeutung sind. Kürzlich wurde in einem neuen Artikel das selektive Flächenwachstum und die Herstellung hochgradig gleichmäßiger Pi-N-Kern-Schale-InGaAs/InP-Nanodraht-Array-LEDs mit einem Quantentopf (QW) vorgestellt.