Všechny kategorie

Citlivé detekce

Domovská stránka >  Produkty  >  Citlivé Detekce

Cítivka s lineárním polem InGaAs

Cítivka s lineárním polem InGaAs

Hlavní výhoda
Dlouhé lineární pole s malými pixely a vysokým rozlišením
výstup ve dvou řadách po 512
Vysoká rychlost čtení pixelů (14MHz)
Maximální frekvence řádku 20KHz
Čtyři možnosti ziskového zesílení
Použitelné pro potřeby aplikací v několika scénářích
32pinový keramický obal s duálním vedením

Typické aplikace:
Třídění cizích předmětů
Testování agrárních produktů
Liniové skenování
Průmyslové nezničující testování
Spektrální analýza

  • Přehled
  • Parametr
  • Dotaz
  • Související produkty

Detektor krátkého infradukčního záření GD-NIR512L2-CD s lineárním polem InGaAs má vlastnosti vysoké citlivosti, nízkého šumu a nízkého temného proudu. Detektor je složen z čipů polovodičového pole fotodiod InGaAs a čipů obvodů pro zpracování signálů CMOS. Je elektřinou propojen prostřednictvím hliníkových (In) konvexních bodových polí a může být široce využit v oblastech jako je detekce produkty ze zemědělství, průmyslová detekce a optoelektronická detekce.
Detektor je složen z dvou nezávislých 1X512 strukturovaných obvodů, každý obsahující 512 gumových kanálů. Každý kanál obsahuje obvod zesilovače náboje, obvod zisku CDS, držící obvod, sloupcový bufferový obvod a logiku ovládacího obvodu. Vstupní etapa používá CTIA strukturu s více stupni převodního zisku náboje na napětí, podporuje funkce proti koroně a korelovanému dvojitému přijetí (CDS) pro redukci šumu a podporuje dvě formy chlazení a bez chlazení.

Parametry&Index
Technické Parametry Technické Index
Typ zařízení InGaAs p-na-n Typ
Měřítko pole 2X512
Velikost pixelu 25umX25um
Velikost fotocitlivé plochy 0.05mmX12.8mm
Forma balení 32-DIP keramická obalová rezinová výplň
Optoelektronické vlastnosti @ 22±3°C
Maximální frekvence řádku 20KHz
Maximální rychlost čtení pixelů 14KHz
Integrační čas ≥10µs Větší nebo rovno 10µs
Spektrální rozsah čuvnosti 0.92~1.65um
Šum při čtení ≤60e(RMS)@10KHz,Vysoké zvýhodnění
Dynamické prostředí ≥60dB
Elektrické vlastnosti
Rozsah provozních teplot -20° C~+60° C
Maximální pracovní spotřeba energie 300mW
Rozsah pixelového posuvu -0.5V~0V
Úroveň odolnosti proti statické elektřině ESD 800V~1000V

KONTAKT