Všechny kategorie

Optoelektronické integrované zařízení

Domovská stránka >  Produkty  >  Optoelektronické Integrované Zařízení

InGaAs lavinová fotodioda

InGaAs lavinová fotodioda

Hlavní výhoda:

Vysoká odezva

Nízká kapacita, nízký šum

Vysoká pracovní frekvence

Vysoká spolehlivost

Typické aplikace:

Vysokorychlá optická vláknová komunikace

Optické senzorování pomocí vláken

Rychlá detekce optických pulzů

Laserové měření vzdálenosti

Detekce jednotlivých fotonů

  • Přehled
  • Parametr
  • Dotaz
  • Související produkty

InGaAs Geigerovský režim lavinového fotodiodu (APD) je produkt speciálně navržený pro aplikace počítání jednotlivých fotonů. Tento přístroj pracuje v "Geigerovském režimu" použitím napětí vyššího než prahové napětí, což způsobuje, že dopadající fotony generují velký proud kvůli významnému zvětšení uvnitř lavinového diodu, čímž je efektivně umožněno detekování jednotlivých fotonů. Když je kombinován s odpovídajícími externími obvody pro detekci pulzů, umožňuje detekci jednotlivých fotonů v délkovém rozsahu vln 0,95–1,65 mikrometrů.

Produkt je dostupný ve dvou typických konstrukcích balení: T0 koaxiální pigtail a integrovaná kryogenická motýlková verze, a může být také upraven podle konkrétních požadavků zákazníka.

Periodické polování se dosahuje pomocí technik kvazi-fázového srovnání, kdy je na krystal lithniového niobitu aplikováno vnější elektrické pole pro periodické obrácení směru spontánní polarizace ferroelektrických domén krystalu. Toto řeší problém fázového nesouladu, což umožňuje konverzi frekvence pro různé vlnové délky.

Na základě vlnovodů RPE s periodicky polovaným lithniovým niobitem (PPLN) lze ve spektru komunikačních vlnových délek 1550nm snížit přenosové ztráty až na 0,1dB/cm a ztráty spojení s optickými vlákny minimalizovat na 0,5dB. Tyto technické parametry dosahují mezinárodně vedoucí úrovně.

Parametry&Index
Technické parametry Technické údaje
Opačné prahové napětí ≤90V(@Tamb=25°C±3°C,IR=10uA, Φe=0)
Temný proud ≤2nA(@Tamb=25°C±3°C,VDC=(VBR-1)V, Φe=0)
Detekční efektivita 20%(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,λ=1550nm±50nm)
Frekvence temných počtů ≤5kHz(@Tth=-30°C±3°C,fgate=1.25GHz,PDE=20%)
Pravděpodobnost počasného pulsu ≤6%(@Tth=-30°C±5°C,λ=1550nm±50nm,fgate=1.25GHz,PDE=20%,tdead=1000ns)
Teplotní rozdíl chlazení TEC ≤60°C(@ITEC=Imax,Tamb=+50°C,PED=20%)
Provozní teplota -40 až -45°C
Skladovací teplota -50 až 70°C
Spotřeba elektřiny chladicí jednotky ≤9.52W
Citlivost na elektrostatické vypálení 250V
Maximální elektrické napětí chladicí jednotky 11.9V
Maximální průtok proudem mrazidla 0.8A
NTC (teplotně závislý rezistor) RT=10KΩ@25°C
Rozsah odporu vzorkovacího rezistoru TR 50Ω±10Ω

KONTAKT