Микро-LED от нанопровода с много дължини на вълна за оптична комуникация на чип

С увеличаването на броя ядра на процесора, предизвикателствата свързани с техното свързване също са растящи. Традиционните електрически мрежи не могат да отговорят на изискванията поради латентност, ограничена пропускана способност и висока енергийна разхода. Дълго време учениците търсеха по-добри алтернативи, като нанофотонните системи на чип са се появили като перспективна замяна на традиционните електрически мрежи.

Все още има ограничено докладване за високоскоростни инфрачервени микросветещодиоди (LED), работещи на телекомуникационни дължини на вълната, които са критични за бъдещото развитие на технологията Li-Fi, фотонните интегрирани кръгове (PIC) и биологичните приложения. Наскоро нова статия представи избраното зонален растеж и производство на много равnomерни pi-n core-shell InGaAs/InP единични квантови щепи (QW) нанолентови масиви на светещодиоди.