Lahat

Komponente ng detektor ng isang-photon array na InGaAs

Pangunahing Kobento
Ang saklaw ng spectral response ay 0.95~1.65 μm.
Ito ay nakakulong sa maliit at magaan na kasing metalyo.
Mga independiyente at malaya ang mga pixel sa paggana.
Maaaring humikayat ng mahina photon signals ang mga pixel.
Ang patuloy na oras at Geiger avalanche signal detection threshold ay pababago-bago.

Tipikal na mga aplikasyon:
Pagsukat ng layo sa pamamagitan ng ulap, lagnat, at smoke
Babala sa laser sa karatig-infrared
Laser rangefinding sa malayo
Malayong distansya na espasyal na laser communication

Inquiry ILATAG PAABA

Buod
Parameter
Inquiry
Mga kaugnay na produkto

Binubuo ang produkto ng isang detector module, na itinatayo sa pamamagitan ng flip-chip interconnecting ng isang 4x4 array ng InGaAs single-photon avalanche diode (SPAD) chips at ng isang CMOS main passive quenching circuit chip, kasama ang isang voltage inverter module, isang cooling module, at isang signal control module. Sa operasyon ng Geiger-mode, bawat pixel ng detector component ay nagtrabaho nang independiyente at malaya, detektiyong mahina mga senyal ng liwanag sa karaniwang infrared wavelength na saklaw mula 0.95 hanggang 1.65 micrometers at nagbibigay ng real-time output sa mga TTL electrical signals.

Mga Parameter at Indeks
Mga teknikal na parameter	Teknikong indeks
Uri ng Dispositibo	InGaAs APD
Laki ng Array	4x4
Sukat ng Pixel	100μm x 100μm
Laki ng Photosensitive Area	85μm x 85μm
Optical window	Quartz optical window
Distansya mula sa Photosensitive Surface patungo sa Optical Window	4mm (lakas ng bintana: 1mm)
Wavelength ng operasyon	0.95μm hanggang 1.65μm
Epekibilidad ng Deteksyon	≥10% (sa 1.57±0.05μm)
Rate ng Dangkal na Banta	≤10KHz
Oras ng Jitter	≤500ps
Oras ng Pagsapaw	Maaring adjust mula 100 hanggang 1000ns
Epektibong Rate ng Pixel	100%
Operating Temperature	-40°C hanggang +55°C
Storage temperature	-40°C hanggang +70°C
Konsumo ng Kuryente	≤15W