InGaAs avalanche photodetector

Ang produkto na ito ay isang kompak na avalanche photodetector sa karaniwang infrared. Ang pangunahing device ay gumagamit ng InGaAs/InP APD na may independiyenteng propertidad ng intelektwal mula sa bansa, na may katangian ng mataas na gain, mataas na sensitibidad at mababang bulok. Maaari itong magbigay ng solusyon na makakatulong sa pagbabawas ng gastos para sa deteksyon ng mahina na liwanag sa karaniwang infrared at sa pagsukat ng maikling pulse signal, at madalas na ginagamit sa laser communication, laser radar at iba pang mga larangan.
Ang produkto na ito ay gumagana sa linear mode, mayroong integradong low-noise broadband transimpedance amplifier, maaaring maabot ang pinakamalaking konwersyon ng gain na 5.2×106v/w, at suporta sa pagsasaya ng gain, at gumagamit ng temperature compensation circuit upang maabot ang kontrol na temperatura stability ng multiplication factor. Ang diyametro ng photosensitive surface ay nakararating hanggang 200um, at ang noise equivalent power ay mababa lamang sa 0.35nW sa working bandwidth na 10MHz. Suporta ito sa free space coupling at fiber coupling. Habang tinatangi ang internal na integradong proteksyon laban sa malakas na liwanag na nagpapatakbo ng mas mataas na adaptibilidad sa kapaligiran ng produkto.