ขวดเครื่องเทศทั้งหมด

เซนเซอร์อาร์เรย์เส้นตรงโฟกัสระนาบ InGaAs

ข้อได้เปรียบหลัก
อาร์เรย์เส้นตรงความละเอียดสูงขนาดเล็ก
เอาต์พุตคอลัมน์แบบคู่ 512X2
อัตราการอ่านพิกเซลสูง (14MHz
ความถี่เส้นสูงสุด 20KHz
ตัวเลือกการเพิ่มค่าระดับสี่ขั้น
เหมาะสมสำหรับความต้องการในการใช้งานหลากหลายสถานการณ์
แพ็คเกจแบบ Dual in-line เซรามิก 32 พิน

การใช้งานทั่วไป:
การกรองวัตถุแปลกปลอม
การตรวจสอบผลิตภัณฑ์ทางการเกษตร
การถ่ายภาพสแกนเส้น
การทดสอบอุตสาหกรรมที่ไม่ทําลาย
การวิเคราะห์สายสี

สอบถามข้อมูล ดาวน์โหลด

ภาพรวม
พารามิเตอร์
สอบถามข้อมูล
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง

เซนเซอร์เรย์อินฟราเรดคลื่นสั้น InGaAs เรียงเป็นแถวแบบ GD-NIR512L2-CD มีคุณลักษณะของความไวสูง เสียงรบกวนต่ำ และกระแสไฟฟ้ามืดต่ำ เซนเซอร์ประกอบด้วยชิปอาร์เรย์โฟโตไดโอด InGaAs และชิปวงจรประมวลผลสัญญาณ CMOS เชื่อมต่อผ่านจุดนูนของอินเดียม (In) และสามารถใช้งานอย่างกว้างขวางในสาขาต่างๆ เช่น การตรวจจับผลิตภัณฑ์ทางการเกษตร การตรวจจับทางอุตสาหกรรม และการตรวจจับออปโตอิเล็กทรอนิกส์
เซนเซอร์ประกอบด้วยวงจรโครงสร้าง 1X512 แบบอิสระสองชุด โดยแต่ละชุดมีช่องยาง 512 ช่อง แต่ละช่องมีวงจรขยายแรงดันไฟฟ้า วงจรเพิ่มค่า CDS วงจรเก็บค่า วงจรอุปกรณ์บัฟเฟอร์ และวงจรควบคุมลอจิก ขั้นตอนการรับข้อมูลใช้โครงสร้าง CTIA พร้อมระบบแปลงแรงดันไฟฟ้าหลายระดับ รองรับการทำงานป้องกันการเกิดประจุไฟฟ้าสถิตและลดเสียงรบกวนด้วยวิธี correlated dual adoption (CDS) และรองรับทั้งรูปแบบการทำเย็นและไม่ทำเย็น

พารามิเตอร์และดัชนี
การเทคนิค พารามิเตอร์	การเทคนิค ดัชนี
ประเภทอุปกรณ์	ประเภท InGaAs p-on-n
ขนาดของอาราย	2X512
ขนาดพิกเซล	25umX25um
ขนาดของพื้นที่ที่มีความรู้สึกต่อแสง	0.05mmX12.8mm
รูปแบบการบรรจุ	การบรรจุเรซินเปลือกเซรามิก 32-DIP
ลักษณะการทำงานของอัปโตรนิกส์ @ 22±3°C
ความถี่สายสูงสุด	20khz
อัตราการอ่านพิกเซลสูงสุด	14KHz
เวลาการบูรณาการ	≥10us มากกว่าหรือเท่ากับ 10us
ช่วงการตอบสนองสเปกตรัม	0.92~1.65um
เสียงรบกวนจากการอ่านค่า	≤60e(RMS)@10KHz, เกินกำไร
บรรยากาศแบบไดนามิก	≥60dB
ลักษณะทางไฟฟ้า
ช่วงอุณหภูมิในการทำงาน	-20° C~+60° C
การบริโภคพลังงานสูงสุดขณะทำงาน	300mW
ช่วงไบแอสพิกเซล	-0.5V~0V
ระดับป้องกันไฟสถิตย์ ESD	800V~1000V