Alle

InGaAs enkeltfoton array detektor komponent

Nøkkel fordeling
Spektral responsområde er 0,95~1,65 μm.
Det er innkapslet i en lettvekt og kompakt metallhylle.
Pikselene fungerer uavhengig og fritt.
Pikselene kan oppdage svake fotonsignaler.
Døde tiden og terskel for Geiger-avalanche-signaldeteksjon er justerbare.

Typiske applikasjoner:
Avstandsmåling gjennom tåke, dim og røyk
Advarsel om nærinfrarød laser
Lange-distanses laseravstandsmåling
Lange-distanses rombasert laserkommunikasjon

Forespørsel DOWNLOAD

Oversikt
Parameter
Forespørsel
Relaterte produkter

Produktet består av et detektormodul, som monteres ved å forbinde en 4x4 matrise av InGaAs enkel-foton avalanche-diode (SPAD) chips og en CMOS hovedpassiv slukningskretschip med flip-chip-teknikk, sammen med et spenningsinverteringsmodul, et kjølingmodul og et signalkontrollmodul. I Geiger-modus operasjon fungerer hver piksel av detektorkomponenten uavhengig og fritt, oppdager svake lysignaler i nær-infrarød bølgelengdeområdet fra 0,95 til 1,65 mikrometer og gir reeltidsutdata i TTL elektriske signaler.

Parametre&Indeks
Tekniske parametere	Teknisk indeks
Enhets type	InGaAs APD
Array-størrelse	4x4
Pixlestørrelse	100μm x 100μm
Størrelse på lysfølsomt område	85μm x 85μm
Optisk vindu	Kvarts optisk vindu
Avstand fra lysfølsom overflate til optisk vindu	4mm (vindutykkelse: 1mm)
Driftsbølgelengde	0,95μm til 1,65μm
Oppdagelseseffektivitet	≥10% (ved 1.57±0.05μm)
Mørketellingsrate	≤10KHz
Tidsjitte	≤500ps
Dødtid	Justerbart fra 100 til 1000ns
Effektiv pikseltallrate	100%
Driftstemperatur	-40°C til +55°C
Lagrings temperatur	-40°C til +70°C
Strømforbruk	≤15W