All

InGaAs enkel-Photon array detector komponent

Nøglefordel
Det spektrale responsområde er 0,95~1,65 μm.
Det er indhyllet i en let og kompakt metalhuse.
Pixelne opererer uafhængigt og frit.
Pixelne kan registrere svage foton-signaler.
Dødtid og Geiger-avalanche-signalregistreringsgrænse er justerbare.

Typiske anvendelser:
Afstandsbestemmelse gennem tåge, dim og røg
Nær-infrarød lasers advarsel
Langdistanselasert afstandsmåling
Langdistanserumlig laserkommunikation

Forespørgsel DOWNLOAD

Oversigt
Parameter
Forespørgsel
Relaterede produkter

Produktet består af et detektormodul, der monteres ved flip-chip-forbindelse af en 4x4-matrix af InGaAs enkeltfoton-avalanche-diode (SPAD) chips og en CMOS hovedpassiv quenching-cirkuitschip, sammen med et spændingsinverteringsmodul, et kølemodul og et signalstyringsmodul. I Geiger-tilstand opererer hver pixel af detektorkomponenten uafhængigt og frit, mens den registrerer svage lys-signaler i nær-infrarøde bølgelængder fra 0,95 til 1,65 mikrometer og giver realtid-output i TTL elektriske signaler.

Parametre&Index
Tekniske parametre	TEKNISK INDEX
Enheds type	InGaAs APD
Arraystørrelse	4x4
Pixelstørrelse	100μm x 100μm
Størrelse af lysfølsomt område	85μm x 85μm
Optisk vindue	Kvarts optisk vindue
Afstand fra lysfølsom overflade til optisk vindue	4mm (vinduestjælknings: 1mm)
Driftsbølgelængde	0,95μm til 1,65μm
Detektionseffektivitet	≥10% (ved 1,57±0,05μm)
Mørketællingsrate	≤10KHz
Tidsjitter	≤500ps
Dødtid	Justérbar fra 100 til 1000ns
Effektiv pixelrate	100%
Driftstemperatur	-40°C til +55°C
Lagrings temperatur	-40°C til +70°C
Strømforbrug	≤15W